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[会议论文] 作者：王卓,刘昌龙,李梦凯,柳天宇,吴培,廖俊淇,张晓东,袁兵,李文润,
来源：华北地区硅酸盐学会第九届学术交流会 年份：2008
室温下使用160 keV，5×1016cm-2 He离子和110 keV，1×1016cm-2 H离子对单晶Si样品进行单离子和双离子注入。采用多种观测技术研究了注入引起的Si表面损伤效应和微观缺陷的演变。扫描电子显微镜观测结果表明，附加H离子注入有助于He预注入的Si样品发生表面剥落现象，剥......
[会议论文] 作者：王卓[1]刘昌龙[2]李梦凯[1]柳天宇[1]吴培[1]廖俊淇[1]张晓东[1]袁兵[1]李文润[1],
来源：华北地区硅酸盐学会第九届学术交流会 年份：2008
室温下使用160 keV，5×1016cm-2 He离子和110 keV，1×1016cm-2 H离子对单晶Si样品进行单离子和双离子注入。采用多种观测技术研究了注入引起的Si表面损伤效应和微观缺陷的...
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