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室温下使用160 keV，5×1016cm-2 He离子和110 keV，1×1016cm-2 H离子对单晶Si样品进行单离子和双离子注入。采用多种观测技术研究了注入引起的Si表面损伤效应和微观缺陷的演变。扫描电子显微镜观测结果表明，附加H离子注入有助于He预注入的Si样品发生表面剥落现象，剥落程度强烈地依赖于退火温度。在800℃退火温度下，He和H离子联合注入导致了Si表面大面积的剥落。原子力显微镜显示剥落发生在离子的平均射程附近。通过使用XTEM对微观缺陷进行分析，表明表面剥落主要来源于附加H离子注入对He气泡热生长的影响。