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[期刊论文] 作者：,
来源：科技创业 年份：2008
获奖单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海新傲科技有限公司获奖人:王曦林成鲁张苗陈猛俞跃辉张峰李炜宋志棠张正选刘卫丽王连卫林梓鑫陈静李守臣项目简介:绝...
[期刊论文] 作者：张楷亮,宋志棠,,
来源：技术与市场 年份：2008
随着半导体工业的飞速发展,化学机械抛光(CMP)渐成为集成电路制造中的一项关键工艺,其中抛光液是化学机械抛光过程中重要的消耗品,长期以来国内主要硅材料厂及半导体元件厂依...
[期刊论文] 作者：宋志棠,刘波,封松林,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
相变存储技术是纳电子器件发展的主流技术之一,利用其电脉冲操作下的纳秒级的可逆相变过程制备的相变存储器（PCRAM）,在嵌入式与大容量存储方面有巨大的商用价值与应用前景,已成......
[期刊论文] 作者：刘波,宋志棠,封松林,
来源：半导体技术 年份：2008
介绍了相变随机存储器（PCRAM）的研究现状，包括新型相变材料、热阻层材料和器件结构等。分析了GeSb和SiSb等相变材料具有组分简单、数据保持力好、优良的存储性能等特点，介绍了PCR......
[期刊论文] 作者：沈菊,宋志棠,刘波,封松林,
来源：半导体技术 年份：2008
介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理，设计了一种依靠电流驱动的驱动电路，整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于......
[会议论文] 作者：顾怡峰,宋志棠,张挺,刘波,封松林,
来源：2008年上海纳米科技与产业发展研讨会 年份：2008
分别用Si2Sb2Te5合金靶和Si、Sb、Te单质靶三靶共溅射制备相变材料Si2Sb2Te5薄膜,用原位升温测试前者得到的样品的结晶温度为223℃,而后者的结晶温度为275℃.前者的结晶速率较快,二者的高低阻的差异也较大.利用XRD测试对二者进行结构研究,前者的结晶态为Si2Te3......
[期刊论文] 作者：徐成,刘波,冯高明,吴良才,宋志棠,封松林,Bomy Che,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能。结果表明：Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变...
[期刊论文] 作者：徐成,刘波,冯高明,吴良才,宋志棠,封松林,Bomy Chen,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2008
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：胡晓凯,宋志棠,刘卫丽,汪海波,张泽芳,王良泳,
来源：2008年上海纳米科技与产业发展研讨会 年份：2008
本论文研究了蓝宝石抛光初始阶段抛光速率与下压力、抛光转速两项工艺参数的关系；分析了抛光过程中摩擦系数的动态变化规律.结果表明,抛光速率大致正比于下压力,即随压力增大...
[期刊论文] 作者：刘彦伯,钮晓鸣,宋志棠,闵国全,万永中,张静,周伟民,李小丽,
来源：微细加工技术 年份：2008
采用高效、低成本的紫外压印技术（UV—IL）在2in．Si／SiO2基Ti／TiN／Si2Sb2Te5（SST）多层膜表面制备了密度为3．8M／In^2的AMONIL点阵结构，并通过反应离子刻蚀得到相变材料SST阵列；电阻与脉冲宽......
[期刊论文] 作者：刘彦伯,钮晓鸣,宋志棠,闵国全,万永中,张静,周伟民,李小丽,张挺,张剑平,,
来源：微细加工技术 年份：2008
采用高效、低成本的紫外压印技术(UV-IL)在2 in.Si/Si O2基Ti/Ti N/Si2Sb2Te5(SST)多层膜表面制备了密度为3.8 M/In2的AMONIL点阵结构,并通过反应离子刻蚀得到相变材料SST阵...
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