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采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能。结果表明：Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阈值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器件单元的非晶态（高阻）与晶态（低阻）之间的可逆相变过程;器件单元中相变材料结晶所需电流最低为1.78mA（电流宽度固定为100ns）、结晶时间大于80ns（电流高度固定为3mA）;相变材料非晶化脉冲电流宽度为30ns时,所需电流大于3.3mA;与Ge2Sb