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[期刊论文] 作者：费晓蕾,,
来源：华东科技 年份：2004
宋志棠团队研发的相变存储器及存储材料,综合性能指标已达到国际先进水平,被称为预示着下一代存储器的到来。国家"...
[期刊论文] 作者：张磊,刘卫丽,宋志棠,
来源：功能材料与器件学报 年份：2004
在氨水催化水解正硅酸乙酯(TEOS)过程中,采用一种新方法制备了单分散的超小粒径氧化硅.加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)能够有效的减小氧化硅颗粒的粒径大小,氧化硅粒径随着PVP的增...
[会议论文] 作者：张楷亮,宋志棠,刘玉岭,
来源：上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会 年份：2004
本文对硅单晶材料到抛光片的关键加工工艺:切割、磨片、化学机械抛光、清洗等工序进行了分析,并对相应的工艺化学品进行研究和应用.研究表明工艺过程中适当增强化学作用可以降低机械损伤、减少机械和热应力导致的缺陷,提高硅片质量和成品率,尤其是清洗工艺中特......
[期刊论文] 作者：封松林,宋志棠,刘波,刘卫丽,
来源：微纳电子技术 年份：2004
系统地介绍了硫系化合物随机存储器(C-RAM)的原理、相关材料、研究现状、特点及今后的发展趋势以及中科院上海微系统与信息技术研究所在C-RAM方面的研究进展.C-RAM由于具有高...
[期刊论文] 作者：张楷亮,宋志棠,张建新,檀柏梅,刘玉岭,
来源：电子器件 年份：2004
针对超大规模集成电路多层互连结构中介质CMP抛光速率低,急需的大粒径硅溶胶研磨料,本文采用改进的粒径生长控制工艺制备介质CMP用大粒径硅溶胶,并采用TEM、激光粒度分析仪和...
[期刊论文] 作者：甄万宝,朱世富,赵北君,宋志棠,封松林,
来源：四川大学学报(工程科学版) 年份：2004
采用等离子束辅助沉积的方法在n-Si(001)衬底上制备出ZnO薄膜.X射线衍射谱显示,所制备的ZnO薄膜有较强的(002)晶面衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的,并且随着退火温度...
[期刊论文] 作者：王石冶,刘卫丽,张苗,林成鲁,宋志棠,
来源：功能材料 年份：2004
综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和...
[期刊论文] 作者：符晓荣,宋志棠,多新中,林成鲁,武光明,
来源：无机材料学报 年份：2004
以硝酸镁为起始原料，胶棉液为添加剂，在Ｓｉ（１００）衬底上成功地制备ＭｇＯ薄膜，结果表明，胶棉液是形成ＭｇＯ溶胶的关键组份；薄膜的晶体结构与胶棉液的含量及退火温度有关．同时，用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、原子力显微镜（ＡＦＭ）和......
[会议论文] 作者：胡晓凯, 宋志棠, 汪海波, 刘卫丽, 潘忠才, 秦飞, 张,
来源： 年份：2004
化学机械抛光技术广泛应用于集成电路制造平坦化工艺制程。本文中以水玻璃为初始原料,通过硅酸分子间的聚合反应流程,制备了化学机械抛光专用胶体二氧化硅纳米研磨料。通过硅...
[期刊论文] 作者：江炳尧, 蒋军, 冯涛, 任琮欣, 张正选, 宋志棠, 柳襄,
来源：功能材料 年份：2004
采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3.若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)...
[期刊论文] 作者：王石冶，刘卫丽，张苗，林成鲁，宋志棠，WANGShi-ye，LIUWei-li，ZHANGMiao，LINCheng-lu，SONGZhi-tang,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：陈一峰,宋志棠,陈小刚,陈后鹏,刘波,白宁,陈邦明,吴关平,,
来源：微电子学 年份：2004
基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130 nm标准CMOS工艺将其与128 kb的相变存储器实验芯片集成.相比传统的单一电流...
[期刊论文] 作者：江炳尧,蒋军,冯涛,任琮欣,张正选,宋志棠,柳襄怀,郑里平,
来源：功能材料 年份：2004
采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混...
[期刊论文] 作者：丁晟,宋志棠,陈后鹏,蔡道林,陈一峰,王倩,陈小刚,刘波,谢,
来源：微电子学 年份：2004
以中科院上海微系统与信息技术研究所自主研发的相变存储器工艺为基础,开发了一款容量为1 kb、可应用于射频标签(RFID)的嵌入式相变存储芯片.该芯片以1T1R为基本单元结构,采...
[期刊论文] 作者：ZHANG Ting(张挺),LIU Bo(刘波),XIA Ji-Lin(夏吉林),SONG Zhi-Tang(宋志棠),FENG Song-Lin(封松林),CHEN Bomy(陈宝明),
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2004
Annealing temperature effects on the structure and electrical resistance of Ge2Sb2 Te5 thin film were studied. The crystallization and melting temperature of th...
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