搜索筛选:
搜索耗时0.6479秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 7 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：宁瑾,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2003
该论文主要工作包括硅基电容式微传声器及其外围电路的研制以及器件与电路的性能测试分析.主要研究结果如下:通过建立有限元分析模型和声-电模型,对不同结构参数的电容式微传...
[期刊论文] 作者：宁瑾,刘忠立,
来源：半导体学报 年份：2003
针对所研制的电容式微传声器在理想模式下的工作原理，建立了有限元分析模型和声-电模塑，从理论上分析了器件的机械性能、灵敏度以及频响特性，得出了结构优化的设计原则，即要想得......
[期刊论文] 作者：宁瑾,刘焕章,葛永才,刘忠立,
来源：半导体学报 年份：2003
提出了一种新的硅基电容式微传声器的制备方法，即采用多孔硅牺牲层技术制备声学孔，采用聚酰亚胺膜作声学振膜，采用该方法制备出的电容式微传声器器件，开路灵敏度为107．8dB，在400～10k......
[期刊论文] 作者：宁瑾,刘忠立,刘焕章,葛永才,
来源：功能材料与器件学报 年份：2003
提出一种新的牺牲层工艺.先将阳极氧化生成的多孔硅在 300℃的氮气氛下进行退火以稳定其多孔结构,然后将其在 700℃下氧化成为具有多孔结构的二氧化硅.用氧化的多孔硅材料作...
[期刊论文] 作者：宁瑾,刘忠立,刘焕章,葛永才,
来源：半导体学报 年份：2003
提出了一种新的工艺方法制备硅基电容式微传声器．用氧化多孔硅作牺牲层制备空气隙，用约15μm厚的浓硼掺杂硅作为微传声器的刚性背极板．采用该方法制备的微传声器，在500Hz至11kHz......
[期刊论文] 作者：宁瑾,刘忠立,刘焕章,葛永才,
来源：微细加工技术 年份：2003
多孔硅具有选择性生长以及可以迅速释放的特性,是MEMS工艺中很好的牺牲层材料.探讨了多孔硅牺牲层工艺的特点,并通过实验证明了其在电容式微传声器制备中的应用可能.提出可以...
[期刊论文] 作者：宁瑾,刘忠立,刘焕章,葛永才,
来源：半导体学报 年份：2003
提出了一种新的工艺方法制备硅基电容式微传声器 .用氧化多孔硅作牺牲层制备空气隙 ,用约 15μm厚的浓硼掺杂硅作为微传声器的刚性背极板 .采用该方法制备的微传声器 ,在 50...
相关搜索：
