用氧化多孔硅作牺牲层制备硅基电容式微传声器

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gtsmk2

【摘要】

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提出了一种新的工艺方法制备硅基电容式微传声器．用氧化多孔硅作牺牲层制备空气隙，用约15μm厚的浓硼掺杂硅作为微传声器的刚性背极板．采用该方法制备的微传声器，在500Hz至11kHz

【作者】

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宁瑾刘忠立刘焕章葛永才

【机构】

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中国科学院半导体研究所微电子中心

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2003年5期

【关键词】

：

氧化多孔硅牺牲层微传声器灵敏度电容式

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提出了一种新的工艺方法制备硅基电容式微传声器．用氧化多孔硅作牺牲层制备空气隙，用约15μm厚的浓硼掺杂硅作为微传声器的刚性背极板．采用该方法制备的微传声器，在500Hz至11kHz的工作频率下，灵敏度范围为-55dB(1．78mV／Pa)到-45dB(5．6mV／Pa)，随着频率的升高，灵敏度呈上升趋势，截止频率超过20kHz．

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