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[期刊论文] 作者：姚小江,李滨,刘新宇,陈中子,陈晓娟,,
来源：半导体学报 年份：2007
设计研制了一个4~12GHz的宽带混合集成平衡功率放大器电路.该平衡放大器由一个4指的微带兰格耦合器实现.其输出连续波饱和功率在中心频率为8GHz时达到29.5dBm,在4~12GHz频率...
[会议论文] 作者：姚小江,李滨,刘新宇,陈中子,陈晓娟,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
在实际的微波混合集成电路(MIC)的设计和制作过程中出现的振荡问题是导致电路不稳定甚至失效的重要原因。对比了两种不同的MIC电路出现的振荡问题，针对不同类型的振荡问题...
[期刊论文] 作者：姚小江,李宾,陈延湖,陈小娟,魏珂,李诚瞻,刘丹,刘果果,刘,
来源：电子器件 年份：2007
我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26...
[期刊论文] 作者：李诚瞻,刘键,刘新宇,刘果果,庞磊,陈晓娟,刘丹,姚小江,和,
来源：电子器件 年份：2007
对不同掺杂浓度AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究掺杂AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应.实验表明,掺杂AlGaN势垒层对器件电流崩塌效应有明显的抑制作用,随着掺杂浓度增加,掺...
[期刊论文] 作者：姚小江,李宾,陈延湖,陈小娟,魏珂,李诚瞻,罗卫军,王晓亮,,
来源：半导体学报 年份：2007
研制了一种基于AlGaN／GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路．该电路包含4个10×120μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器．在偏置条件为VDS=40V，IDS=0．9...
[期刊论文] 作者：李诚瞻,刘键,刘新宇,刘果果,庞磊,陈晓娟,刘丹,姚小江,和致经,,
来源：电子器件 年份：2007
对不同掺杂浓度AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究掺杂AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应.实验表明,掺杂AlGaN势垒层对器件电流崩塌效应有明显的抑制作用,随着掺杂浓度增加,掺...
[期刊论文] 作者：姚小江,李宾,陈延湖,陈小娟,魏珂,李诚瞻,刘丹,刘果果,刘新宇,王晓亮,罗卫军,,
来源：电子器件 年份：2007
我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时...
[期刊论文] 作者：姚小江,李宾,陈延湖,陈小娟,魏珂,李诚瞻,罗卫军,王晓亮,刘丹,刘果果,刘新宇,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：姚小江,李宾,陈延湖,陈小娟,魏珂,李诚瞻,罗卫军,王晓亮,刘丹,刘果果,刘新宇,,
来源：半导体学报 年份：2007
研制了一种基于Al GaN/GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路.该电路包含4个10×120μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器.在偏置条件为VDS=40V,IDS=0...
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