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[期刊论文] 作者：刘宏新,,
来源：中国实用医药 年份：2012
目的 研究润燥止痒胶囊联合维A酸乳膏治疗寻常痤疮的疗效.方法 76例寻常痤疮门诊患者随机分成2组,治疗组38例,口服润燥止痒胶囊,2g/次,3 次/d,同时每晚外用0.025％维A酸乳膏,对...
[期刊论文] 作者：刘宏新,李红文,
来源：中国麻风皮肤病杂志 年份：2012
扁平苔藓（lichen planus，LP）是一种累及皮肤和黏膜的慢性炎症性皮肤病，发病．率约为0．5％。2％，治疗较为困难，目前．用于LP治疗的一线药物为外用中至高效糖皮质激素，二线药物为系统应用糖皮质......
[期刊论文] 作者：史玉红,刘宏新,,
来源：农机化研究 年份：2012
沼气规模化与工业化生产在解决能源问题的同时也产生了大量的发酵残余物沼液沼渣,国内外现有的沼液沼渣处理和利用方式不能及时、高效地消纳沼气工业化生产过程中所产生的大...
[期刊论文] 作者：姚巍鹏,刘宏新,,
来源：中国监察 年份：2012
滥用职权的违纪行为,是指党和国家工作人员或者其他从事公务的人员中的共产党员滥用职权,致使党、国家和人民利益以及公共财产造成较大损失的行为,是失职、渎职类错误的一种...
[期刊论文] 作者：张娜娜,赵匀,刘宏新,,
来源：农业工程学报 年份：2012
以某型号高速水稻插秧机车架为研究对象,利用三维建模软件UG对其参数化建模,并导入有限元分析软件ANSYS Workbench中对水稻插秧机车架进行有限元分析。该文进行了车架的应力...
[期刊论文] 作者：刘宏新, 宋微微, 廉光赫,,
来源：东北农业大学学报 年份：2012
农机具大型化使得机架的结构愈加复杂,机架的强度、刚度及稳定性等问题突显,传统的结构分析方法解决此类问题存在较大难度。文章利用CATIA的有限元工程分析模块在三维仿真机...
[会议论文] 作者：冯春,肖红领,王翠梅,李建平,刘宏新,姜丽娟,陈竑,殷海波,Chun Feng,Hongling Xiao,Cuimei Wang,Jianping Li,Hongxin Liu,Lijuan Jiang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料，并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系，结果表明GaN外延材料弯曲度随着SiC衬底弯曲度的增大而增大。利用弹性动力学模型，计...
[会议论文] 作者：冯春,Chun Feng,Xiaoliang Wang,王晓亮,Hongling Xiao,肖红领,Cuimei Wang,王翠梅,Jianping Li,李建平,Hongxin Liu,刘宏新,Lijuan,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料，并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系，结果表明GaN外延材料弯曲度随着SiC衬底弯曲度的增大而增大。利用弹性动力学模型，计算了外延不同GaN层厚度时通过外延所引入的弯曲度，以及不同SiC衬底厚度与外延片弯曲度之间的......
[会议论文] 作者：井亮,肖红领,王翠梅,冯春,姜丽娟,陈竑,殷海波,李建平,刘宏新,Liang Jing,Hongling Xiao,Cuimei Wang,Chun Feng,Lijuan Jiang,Hong Chen,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
用金属有机物化学气相沉积技术在平面和图形蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构，并制作了电池原型器件。XRD摇摆曲线结果显示，图形衬底上GaN (102)面半峰...
[会议论文] 作者：Cuimei Wang,王翠梅,Chun Feng,冯春,Lijuan Jiang,姜丽娟,Hong Chen,陈竑,Haibo Yin,殷海波,Jianping Li,李建平,Hongxin Liu,刘宏新,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
用金属有机物化学气相沉积技术在平面和图形蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构，并制作了电池原型器件。XRD摇摆曲线结果显示，图形衬底上GaN (102)面半峰...
[会议论文] 作者：Hongling Xiao,肖红领,Chun Feng,冯春,Lijuan Jiang,姜丽娟,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,Jianping Li,李建平,Hongxin Liu,刘宏新,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
In组分为17％的InAlN/GaN HEMT晶格匹配，自发极化较强，非常适于高频毫米波功率器件的制备，是近几年的国际研究热点之一。本文对InAlN/AlN/GaN HEMT结构进行理论分析，在材料生长、测试分析、器件研制等方面开展了一系列研究工作。......
[会议论文] 作者：康贺,肖红领,王翠梅,姜丽娟,冯春,殷海波,陈竑,林德峰,李建平,刘宏新,He Kang,Hongling Xiao,Cuimei Wang,Lijuan Jiang,Chun Feng,Haibo Yin,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用金属有机化学气相沉淀设备外延生长了AlGaN/GaN异质结构材料,基于其研制出GaN基肖特基平面二极管。测量结果显示,室温下器件的反向击穿电压达大于1100V,反向偏压1100...
[会议论文] 作者：姜丽娟,Lijuan Jiang,Chun Feng,冯春,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,Liang Jing,井亮,Zhidong Li,李志东,Jianping Li,李建平,刘宏新,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
在(0001)单面抛光蓝宝石衬底上,用MOCVD外延生长了n-GaN/GaN-InGaN MQWs/p-aN结构材料,并研制出了太阳能电池原型器件,25℃-AMl.5光谱辐照下电池转换效率为0.25％.较低的转...
[会议论文] 作者：王翠梅,Cuimei Wang,康贺,He Kang,Lijuan Jiang,姜丽娟,Chun Feng,冯春,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,Jianping Li,李建平,刘宏新,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
基于AlGaN/GaN异质结构材料,制备了击穿电压为1050V,特征通态电阻为4.0 mncm2的电力电子器件。研究了不同场板长度对器件电学性能的影响,发现场板长度对器件的直流特性和特征通态电阻影响较小,对器件的击穿电压影响较大。通过优化场板长度,获得了击穿电压为l050......
[会议论文] 作者：Cuimei Wang,姜丽娟,Lijuan Jiang,Chun Feng,冯春,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,Defeng Lin,林德峰,Jianping Li,李建平,刘宏新,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用金属有机化学气相沉淀设备外延生长了AlGaN/GaN异质结构材料,基于其研制出GaN基肖特基平面二极管。测量结果显示,室温下器件的反向击穿电压达大于1100V,反向偏压1100V时器件的反向漏电流低于30nA；计算得出器件的比导通电阻为9mΩ·cm2；外加正向偏压2V时器件的......
[会议论文] 作者：[1]HeKang[2]LijuanJiang[2]姜丽娟[1]ChunFeng[2]冯春[1]HaiboYin[2]殷海波[1]HongChen[2]陈竑[1]JianpingLi[2]李建平[1]刘宏新,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
基于AlGaN/GaN异质结构材料,制备了击穿电压为1050V,特征通态电阻为4.0 mncm2的电力电子器件。研究了不同场板长度对器件电学性能的影响,发现场板长度对器件的直流特性和...
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