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Dependence of limited radiative recombination rate of InGaN-based light-emitting diode on lattice te
[期刊论文] 作者：高江东,张建立,全知觉,刘军林,江风益,
来源：中国物理B:英文版 年份：2020
It is observed that the radiative recombination rate in InGaN-based light-emitting diode decreases with lattice temperature increasing.The effect of lattice tem...
[期刊论文] 作者：廖芳,莫春兰,王小兰,郑畅达,全知觉,张建立,江风益,
来源：发光学报 年份：2020
利用MOCVD技术在图形化Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN绿光LED外延材料。在GaN量子垒的生长过程中,保持NH3流量不变,通过调节三乙基镓(TEGa)源的流量来改变垒生长速率,研究了...
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