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[期刊论文] 作者：高勇,刘静,马丽,余明斌,,
来源：半导体学报 年份：2006
将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p^＋（SiGeC）-n^--n^＋异质结功率二极管结构.在分析SiGeC合金材料物理特性的基础上,给出了该结构的关键物理参数模型,并...
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