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[会议论文] 作者：张有涛[1]夏冠群[2]高建峰[3]李拂晓[3]铁宏安[3],
来源：2004全国第十届微波集成电路与移动通信学术会议 年份：2004
本文提出了一种改进的遗传算法,并应用该算法实现了精确、快速地提取GaAs MESFET小信号等效电路参数.该遗传算法具有如下特点:基于保留最优个体,并替代最差个体的策略,采用浮...
[会议论文] 作者：应子罡[1]吕昕[2]高本庆[2]李拂晓[3]高建峰[3],
来源：测控、计量与仪器学术年会 年份：2004
单片微波集成电路(MMIC)在当今电子业的巨大推动下得到迅速的发展,其中器件测试方法的准确度直接影响到模型库的建立,并进一步关系到产品的成本、周期和监测等问题.传统的MMI...
[会议论文] 作者：陈新宇,陈辰,陈继义,李拂晓,蒋幼泉,邵凯,杨乃彬,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
采用GaAs集成电路的自主技术,开发移动通讯用的GaAs集成压控衰减器电路,衰减器电路采用T型结构,在0.9GHz,插入损耗小于2.8dB,最大衰减量35dB,产品性能指标达到国外同类产品.GaAs压控衰减器采用3英寸GaAs圆片标准工艺加工,具有批量生产能力.......
[期刊论文] 作者：蒋幼泉,李拂晓,黄念宁,钮利荣,陈新宇,邵凯,杨乃彬,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关。该产品在82 0～ 95 0 MHz下 ,插入损耗≤ 0 .4 d B,回波损耗≥ 1 9.5 d B,反向三阶交调截距...
[期刊论文] 作者：苑小宁,邱玮玮,李拂晓,谢丽清,徐飘扬,高凤,汪庆祥,高飞,,
来源：分析测试学报 年份：2015
以L-丝氨酸、邻香兰素及C60为原料通过1,3-偶极环加成反应,合成并分离纯化得到一种新型的2-（2-羟基-3-甲氧基苯基）-5-（1-羟甲基）C60吡咯烷衍生物（FPD）。通过质谱、红外光谱、紫外-......
[期刊论文] 作者：唐光华,宋晓峰,汪述猛,戴丽英,钟伟俊,刘德林,李拂晓,,
来源：光电子技术 年份：2016
概述了日盲型紫外像增强管的应用和技术发展状况。最新研究表明:高灵敏度紫外像增强管在探测灵敏度和整管分辨率方面取得了重大的突破。探测灵敏度超过45 mA/W@253.7nm,在250...
[期刊论文] 作者：张小玲,吕长治,谢雪松,李志国,曹春海,李拂晓,陈堂胜,陈效,
来源：半导体学报 年份：2003
介绍了A1GaN／GaN HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试．漏源欧姆接触采用Ti／Al／Pt／Au，肖特基结金属为Pt／Au．器件栅长为lμm，获得的最大跨导为120mS／mm，最大的漏源饱和电流密度为0．95A／mm......
[期刊论文] 作者：焦世龙,陈堂胜,钱峰,冯欧,蒋幼泉,李拂晓,邵凯,叶玉堂,,
来源：半导体学报 年份：2007
采用0．5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端，它包括金属-半导体-金属（MSM）光探测器和分布放大器．探测器光敏面积为50μm×50μm，电容为0．17pF，4V偏压下的...
[期刊论文] 作者：陈新宇,徐全胜,陈继义,陈效建,郝西萍,李拂晓,蒋幼泉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
提出了一种MESFET开关的模型--附加栅控开关模型,适用于MMIC电路的设计,具有很好的宽带微波特性.在0.1～20 GHz频率范围内,器件测试值与模型模拟值吻合较好....
[期刊论文] 作者：李拂晓,蒋幼泉,陈继义,钮利荣,高建峰,邵凯,杨乃彬,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
采用砷化镓76 mm 0.7 μm离子注入MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓DPDT单片射频开关(以下简称单片开关). 该单片开关面积1 310 μm×1 250 μm,总栅宽36 mm,工作频率DC...
[期刊论文] 作者：焦世龙,廖云,吴云峰,张雪琴,叶玉堂,陈堂胜,冯,李拂晓,
来源：光电工程 年份：2004
异质结PIN光探测器可分为单异质结光探测器(SHPD)和双异质结光探测器(DHPD),二者在量子效率、频率响应和暗电流方面存在差异.当SHPD光敏面半径为10(m且P区厚度与电子扩散长度...
[期刊论文] 作者：陈建平,史娟兰,李拂晓,郑成凤,蔡细丽,郑梅霞,汪庆祥,高飞,,
来源：漳州师范学院学报(自然科学版) 年份：2011
以甘氨酸和对苯二甲醛为原料与C60反应，首次获得了一种新型的2-（4-甲酰基苯基）C60吡咯烷衍生物．通过核磁、质谱、红外光谱等分析手段对该衍生物进行结构表征确认，同时利用紫外．可见......
[期刊论文] 作者：陈新宇,陈继义,郝西萍,洪倩,蒋幼泉,李拂晓,陈效建,
来源：半导体学报 年份：2002
提出一种三栅 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,模型是根据三栅 MESFET开关器件的结构 ,考虑了栅极对微波信号的影响 ,适用于 MMIC开关电路的设计 ,具有很好的宽带微...
[会议论文] 作者：李拂晓;蒋幼泉;陈继义;钮利荣;高建峰;邵凯;杨乃彬;,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
采用砷化镓3英寸0.7μm离子注入MESFET标准工艺技术研制出手机用砷化镓单片开关(以下简称单片开关).该单片开关面积1310×1250μm,总栅宽36mm,工作效率DC-2GHz,1GHz下插入损...
[期刊论文] 作者：冯欧,冯忠,杨立杰,焦世龙,蒋幼泉,陈堂胜,李拂晓,叶玉堂,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
采用0．5μm GaAs PHEMT工艺和台面光刻互连工艺研制了一种850nm光接收机前端单片电路，包括金属一半导体一金属光探测器和跨阻前置放大器。探测器光敏面积约2000μm^2，电容小于0．1...
[期刊论文] 作者：戴永胜,陈堂胜,岑元飞,俞土法,李辉,陈继义,李拂晓,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
GaAsMMICSPST和SPDT开关,由于其体积小、重量轻、无功耗,在许多电子系统和电子设备中得到广泛应用,南京电子器件研究所最近研究出高性能DC-20GHz超宽带反射型GaAsMMIC单刀单...
[期刊论文] 作者：焦世龙,廖云,吴云峰,张雪琴,叶玉堂,陈堂胜,冯暐,李拂晓,
来源：光电工程 年份：2004
异质结 PIN 光探测器可分为单异质结光探测器(SHPD)和双异质结光探测器(DHPD),二者在量子效率、频率响应和暗电流方面存在差异。当 SHPD 光敏面半径为 10μm 且 P 区厚度与电...
[期刊论文] 作者：唐光华,申屠军,戴丽英,钟伟俊,杨杰,汪述猛,方盛江,赵文锦,李拂晓,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2015
太阳盲探测AlGaN光电阴极是目前国际上研究的重点之一。AlGaN材料具有探测波段可调、电子亲和势小、热稳定性好等特点,是一种比较理想的有效负电子亲和势(NEA)紫外阴极材料。...
[期刊论文] 作者：焦世龙,陈堂胜,蒋幼泉,冯欧,冯忠,杨立杰,李拂晓,陈辰,邵,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
由光探测器和前置放大器组成的光接收机前端将经过传输通道后发生了衰减和畸变的微弱光信号转变为电压信号并初步放大，是光通信系统的关键环节。相对于混合集成，单片集成将光探......
[期刊论文] 作者：焦世龙,廖云,吴云峰,张雪琴,叶玉堂,陈堂胜,冯(日韦),李拂晓,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
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