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介绍了A1GaN／GaN HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试．漏源欧姆接触采用Ti／Al／Pt／Au，肖特基结金属为Pt／Au．器件栅长为lμm，获得的最大跨导为120mS／mm，最大的漏源饱和电流密度为0．95A／mm．
AlGaN／GaN HEMT器件的研制
【摘 要】
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介绍了A1GaN／GaN HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试．漏源欧姆接触采用Ti／Al／Pt／Au，肖特基结金属为Pt／Au．器件栅长为lμm，获得的最大跨导为120mS／mm，最大的漏源饱和电流密度为0．95A／mm
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院,南京固体器件研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2003年8期
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