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[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
2009年NXP在基站LDM()S功率放大器领域销售额实现了4—5倍的增长,中国市场份额由原来的12%提升至2009年的35%(iSuppli最新数据)。而在新的设计项目中,NXP在中国最大的两家通...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
台积电近期公布了该公司2011年的资本预算为26.9亿美元。主要用于12英寸晶圆厂与晶圆封装(WLCSP,Wafer-Level Chip-Scale Packaging)两大业务。为抓住科技产品“轻薄短小”的...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
Cree总裁兼首席执行官Chuck Swoboda认为,我们的观念在转变:不再执着于在单芯片上创造高光效,也不只是追求高光效。我们的系列中包含了单芯片、3芯片和6芯片,甚至是20个芯片...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
据报道,诺格公司近日获得美国海军研究办公室的一项1.09亿美元的项目,该项目基于海军实验室的多功能射频和多功能电子战系统概念,将采用最优化的开放式架构,以提升美国海军的...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
iSupply的报告指出,2011年无线手机市场的增长十分惊人,将突破2500亿美元,达到2713亿美元。其中,3G技术将继续占主导地位,这种主导地位很可能持续到2014年。而4G技术已经展开...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
据Gartner统计,全球10大半导体芯片用户在2010年共消费半导体芯片1043亿美元,占市场份额的34.7%。2010年全球半导体销售额为3003亿美元,比2009年增长33.7%。推动高增长的因素...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
ANADIGICS公司研发的AWC6323、AWU6601功率放大器(PA)波应用于三星公司新型产品GALAXY Tab。AWC6323是ANADIGICS公司的一款3×5×1 mm的双频CDMA功率放大器,采用InGaP HBT MM...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
据报道,英飞凌科技股份公司连续7年高居全球功率半导体和模块市场榜首。据IMS Research最新报告,全球功率半导体市场规模缩减21.5%,由2008年的140亿美元降至2009年的110亿美...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
据《电子材料》(日)2010年第9期报道,三菱重工开发了一种具有自主知识产权的常温圆片接合机,成功地将SiC、GaN和蓝宝石在室温下分别与Si片直接接合。通过材料高效、高品质的...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
AIXTRON宣布HRL Laboratiories向其订购了一套6×2 CCS MOCVD系统。HRL将用这套系统来研究先进的GaN技术,包括生长毫米波功率型GaNHEMT器件,以及GaN晶体管用作功率开关。HRL...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
据报道,全球首座以6英寸晶圆提供砷化镓(GaAs)微波通讯芯片(MMIC)专业代工服务的台湾稳懋半导体股份有限公司,于今(15)日正式宣布成功的产出全球第一片6英寸0.15微米pHEMT(砷...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
Hittite微波公司日前发布了一系列芯片式GaAs HEMT宽带LNA产品,涵盖了18～86GHz的频带范围。这些Hittite-Velocium LNA产品目前由Hittite公司独家供应,适用于多种应用领域,包括...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
美国普渡大学研究人员们研究出一种能够改善石墨烯单晶体阵列的制造方法,使其实现类似于硅晶生产的方式与品质。“以硅晶所实现的高品质量产观点来看,石墨烯尚未到位,但在迈...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
据报道,日本电气通信大学发表了采用GaN HEMT器件制作的多尔蒂功率放大器。该功率放大器在1.9 GHz下,饱和输出功率31 dBm,功率附加效率(PAE)为58%。输入补偿10 dB时,获得24 d...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
美国DARPA微系统技术局副局长马克·罗斯克表示,基于GaN的芯片已经达到了一定程度的可靠性和生产量。这种新一代芯片将在很大程度上取代GaAs芯片,特别是在各种高性能的用途中...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
Cree的SiC MESFET及GaN(on SiC)HEMT微波功率放大器件:SiC MESFET/CRF240xx:频率为DC～2.7 GHz、工作电压为28～48 V,输出功率为10/60 W两档。宽带、高可靠及耐高温性能优异。GaN...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
由于LED背光源和LED照明的应用充满生机,直接引发了针对LED生长应用的蓝宝石衬底的供不应求。据报道,2010年全球产能合计3400万片,其中亚洲占64.7%(2200万片);2011年预测4800...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
上海:目前,上海集成电路产业已基本形成开发、设计、芯片制造、封装测试以及支撑业和服务业在内的完整产业链,并逐渐形成了互动的态势,这使得上海集成电路产业的发展无论从规...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
IBM研究中心公开了首款通过晶圆尺寸石墨烯制造出的集成电路,并展示了频率高达10GHz的宽带混频器。这款模拟集成电路有一个石墨烯晶体管和一对整合在碳化硅晶圆上的电感器构...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
据报道,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化镓(Ga_2O_3)衬底的GaN基LED器件,预计器件及氧化镓衬底可在2011年年末上市,与以前使用蓝宝石衬底的LED相比,每单位面积可...
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