搜索筛选:
搜索耗时1.6749秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 147 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：金湘亮,曾云,颜永红,成世明,龚磊,盛霞,樊卫,
来源：功能材料与器件学报 年份：2001
建立了新型半导体功率器件—双极型压控晶体管（ BJMOSFET）的直流解析模型，通过提取模 型参数，运用电路模拟软件 PSPICE的多瞬态分析法对 BJMOSFET的直流特性进行了模拟，分析得 出...
[期刊论文] 作者：金湘亮,曾朵朵,彭亚男,杨红姣,蒲华燕,彭艳,罗均,
来源：红外与毫米波学报 年份：2019
介绍了一种0. 18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的新型宽光谱荧光相关谱探测器,其为高边缘击穿、扩展光谱和低暗计数率的圆形单光子雪崩二极管(SPAD).该器件由p+/deep n-...
[期刊论文] 作者：金湘亮,彭亚男,曾朵朵,杨红姣,蒲华燕,彭艳,罗均,
来源：红外与毫米波学报 年份：2019
研究和分析了一种0.18μm CMOS工艺单光子雪崩二极管(SPAD),其结构能抑制过早的边缘击穿(PEB),同时获得较大的光电流和低的暗计数率(DCR).该SPAD由p-well/deep n-well的感光...
[期刊论文] 作者：金湘亮,曾朵朵,彭亚男,杨红姣,蒲华燕,彭艳,罗均,
来源：红外与毫米波学报 年份：2019
介绍了一种0. 18μm互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的新型宽光谱荧光相关谱探测器,其为高边缘击穿、扩展光谱和低暗计数率的圆形单光子雪崩二极管（SPAD）.该器件由p+/deep n-well结,p-well保护环和多晶硅保护环组成.通过Silvaco TCAD 3D器件仿真,直径为10μm的圆形p......
[期刊论文] 作者：金湘亮,彭亚男,曾朵朵,杨红姣,蒲华燕,彭艳,罗均,
来源：红外与毫米波学报 年份：2019
研究和分析了一种0. 18μm CMOS工艺单光子雪崩二极管（SPAD）,其结构能抑制过早的边缘击穿（PEB）,同时获得较大的光电流和低的暗计数率（DCR）.该SPAD由p-well/deep n-well的感光结,deep n-well向上扩散形成的区域和边缘Shallow Trench Isolation（STI）共同形成的保护环组成.......
[期刊论文] 作者：刘小海,肖思国,向志锋,周碧遥,文晴,阳效良,金湘亮,,
来源：Chinese Optics Letters 年份：2013
Ce3+/Er3+/Bi3+triply-doped yttrium aluminum garnet(YAG)is synthesized using co-precipitation method.The Bi3+concentration-dependent near-infrared(NIR)emission b...
[期刊论文] 作者：潘乐昊,吴舒捷,沈天棋,薛灵钥,戴偲瑜,谢佳婕,金湘亮,,
来源：信息系统工程 年份：2019
随着物联网时代的到来,人们追求更便捷的生活方式。使用微波炉时,如何确定食材的加热时间是使用者所关心的一个问题。因此,论文将Sobel边缘检测技术应用于微波炉中测量物体体积,并将其作为微波炉自行计算加热时间的一个参考数据。首先利用Sobel边缘检测得到物体......
相关搜索：
