【摘 要】
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建立了新型半导体功率器件—双极型压控晶体管（ BJMOSFET）的直流解析模型，通过提取模 型参数，运用电路模拟软件 PSPICE的多瞬态分析法对 BJMOSFET的直流特性进行了模拟，分析得 出
【机 构】
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中国科学院微电子中心,湖南大学应用物理系
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建立了新型半导体功率器件—双极型压控晶体管（ BJMOSFET）的直流解析模型，通过提取模 型参数，运用电路模拟软件 PSPICE的多瞬态分析法对 BJMOSFET的直流特性进行了模拟，分析得 出这种新型器件在相同结构参数和同等外界条件下与传统 MOSFET相比，电流密度提高 30％～ 40％。
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