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[会议论文] 作者：蒋幼泉,李拂晓,黄念宁,陈继义,邵凯,杨乃彬,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
报道了一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关.该产品在820～950MHz下,插入损耗(I)≤0.4dB,回波损耗(R)≥19.5dB,反向三阶交调(P)≥67dBm,隔离度(Iso>)≥15.5dB,控...
[会议论文] 作者：李拂晓;蒋幼泉;徐中仓;钮利荣;邵凯;杨乃彬;,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
采用砷化镓离子注入技术研制出的DPDT(双刀双掷)单片射频开关,采用塑封技术,成功地通过了高温工作寿命,抗静电(ESD),高压蒸汽(PCT),温度循环,射频功率下的漏电等试验.寿命试...
[期刊论文] 作者：李拂晓,李冬龙,郭燕,王晖怡,李秋凤,刘继栋,
来源：中国调味品 年份：2021
豆酱生产分为制曲与制酱两个阶段,其中,制酱过程产生的游离氨基酸直接影响豆酱的品质及γ-氨基丁酸的累积,也是促进豆酱风味物质多样化的主要阶段.为生产富含γ-氨基丁酸的豆酱,该研究采用二次回归正交旋转组合设计法对豆酱制酱工艺过程进行优化.结果表明,发酵......
[期刊论文] 作者：张小玲, 吕长治, 谢雪松, 李志国, 曹春海, 李拂晓, 陈堂,
来源：半导体学报 年份：2003
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[会议论文] 作者：陈堂胜,王晓亮,焦刚,钟世昌,任春江,陈辰,李拂晓,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电压,提高了器件的微波功率特性.研制的1 mm栅宽器件在8GHz、34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB、功率附加效率......
[期刊论文] 作者：胡少坚,夏冠群,冯明,詹琰,陈新宇,蒋幼泉,李拂晓,
来源：功能材料与器件学报 年份：2003
成功地设计并制造出 GaAs MESFET霍尔开关集成电路.该电路采用了方形霍尔元件,绝对 灵敏度为 704mV/T;信号处理电路由差分放大电路和触发电路组成,触发电路结构类似于 SCFL...
[期刊论文] 作者：李冬龙,李拂晓,葛艳静,谢彩锋,刘继栋,杭方学,
来源：食品与发酵工业 年份：2020
为开发一种富集γ-氨基丁酸的功能性豆酱,该研究采用二次回归正交旋转组合设计法对豆酱制曲工艺进行优化。结果表明,在添加9%(质量分数)糙米粉、6.1%(质量分数)蔗糖且制曲时...
[期刊论文] 作者：焦世龙,叶玉堂,陈堂胜,冯欧,蒋幼泉,范超,李拂晓,
来源：半导体学报 年份：2007
采用0．5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种单电源共栅电流模跨阻抗前置放大器（TIA）．测量得到放大器-3dB带宽为7．5GHz，跨阻增益为45dBQ；输入输出电压驻波比（VSWR）均小于2；等效输入噪声电流谱......
[期刊论文] 作者：焦世龙,陈堂胜,蒋幼泉,钱峰,李拂晓,邵凯,叶玉堂,,
来源：电子学报 年份：2007
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz～16GHz范围内,输入、输出电压驻波比（VSWR）均小于2;带内噪...
[期刊论文] 作者：陈堂胜,岑元飞,俞土法,李辉,李拂晓,陈效建,戴永胜,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：焦世龙,叶玉堂,陈堂胜,冯欧,蒋幼泉,范超,李拂晓,,
来源：半导体学报 年份：2007
采用0·5μmGaAsPHEMT工艺研制了一种单电源共栅电流模跨阻抗前置放大器(TIA).测量得到放大器-3dB带宽为7·5GHz,跨阻增益为45dBΩ;输入输出电压驻波比(VSWR)均小于2;等效输...
[期刊论文] 作者：戴永胜,陈堂胜,岑元飞,俞土法,李辉,李拂晓,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
数字和模拟移相器在许多电子系统和电子设备中得到广泛应用 ,南京电子器件研究所最近研究出新颖的超宽带 90°、45°、2 2 .5°、1 1 .2 5°四种单片数字和模拟兼容的移相器...
[会议论文] 作者：钮利荣,李拂晓,蒋幼泉,林金庭,刘庭华,章文勋,
来源：第一届全国纳米技术与应用学术会议 年份：2000
该文给出了用MEMS技术设计和研制的Ku波段准单片压控振荡器和全单片的MEMS振荡辐射天线。其中准单片振荡器输出功率达10mW，全单片MEMS辐射天线的振荡器与微型天线制作在一个Ga...
[会议论文] 作者：钮利荣,李拂晓,王学之,林金庭,刘庭华,章文勋,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
用MEMS技术设计并制作了Ku波段单片振荡器和制作在砷化镓衬底上的Ku波段辐射天线.其中单片振荡器在18.29GHz输出功率达9.17dBm;Ku波段MEMS辐射天线在18.835GHz附近驻波＜1.5,带...
[会议论文] 作者：陈新宇,陈继义,陈效建,郝西萍,蒋幼泉,李拂晓,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
本文提出了一种MESFET开关的模型-附加栅控开关模型,适用于MMIC电路的设计,其具有很好的宽带微波特性.器件测试值与模型模拟值吻合较好....
[会议论文] 作者：蒋幼泉,李拂晓,钮利荣,黄念宁,陈效建,杨乃彬,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
总结了在φ76mm砷化镓圆片上实现PHEMT亚微米工艺技术的研究.提出低应力介质膜、控制低损伤层提高PHEMT器件性能;运用统计过程控制技术(SPC技术)提高MMC芯片成品率.研制出的6...
[期刊论文] 作者：颜士飞,王葵,赵文锦,李拂晓,袁志耀,钟伟俊,赵凤玲,,
来源：光电子技术 年份：2016
分别利用分光光度计和紫外成像系统对紫外滤光片的性能进行测试,通过这两项测试数据来评价滤光片的整体性能。所研制的滤光片透过率峰值可在250~280nm范围间进行调节,峰值透...
[期刊论文] 作者：焦世龙,叶玉堂,陈堂胜,杨先明,李拂晓,邵凯,吴云峰,,
来源：光电子.激光 年份：2008
采用0．5μm GaAs PHEMT工艺，研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850nm光接收机前端。探测器光敏面直径为30μm，电容为0．25pF，10V反向偏压下的暗电流小于20nA。分布放大器-...
[期刊论文] 作者：铁宏安,李拂晓,李向阳,冯晓辉,姚祥,魏倩,张斌,翁长羽,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
采用上海华虹NEC 0．35μm标准CMOS工艺进行RF CMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明，在2．1GHz时，输入驻波比1．1，输出驻波比1．5，增益18dB，噪声系数2．7dB，P-1dB输出功率9dBm。......
[期刊论文] 作者：戴永胜,陈堂胜,岑元飞,俞土法,陈继义,李拂晓,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
数字移相器在许多电子系统和电子设备中得到广泛应用 ,南京电子器件研究所最近研究出一种新颖的多倍频程 1 80°Ga As MMIC数字移相器 ,初步获得了优异性能。这种数字移相器...
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