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总结了在φ76mm砷化镓圆片上实现PHEMT亚微米工艺技术的研究.提出低应力介质膜、控制低损伤层提高PHEMT器件性能;运用统计过程控制技术(SPC技术)提高MMC芯片成品率.研制出的6～18GHz砷化镓宽带功放,测试结果P<,0>>27dBm,增益为6dB左右,小信号增益>8dB.
6～18GHz砷化镓PHEMT宽带功放工艺技术研究
【摘 要】
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总结了在φ76mm砷化镓圆片上实现PHEMT亚微米工艺技术的研究.提出低应力介质膜、控制低损伤层提高PHEMT器件性能;运用统计过程控制技术(SPC技术)提高MMC芯片成品率.研制出的6
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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第六届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2001年期
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