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[会议论文] 作者：郑成凤,潘裕添,王霞,李拂晓,蔡细丽,高飞,
来源：中国化学会第十一届全国分析化学年会 年份：2012
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[会议论文] 作者：李拂晓;蒋幼泉;高建峰;黄念宁;徐中仓;,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
砷化镓PHEMT功率器件具有工作频率高,输出功率密度大,效率高,功率效益高等特点.本文研制的0.5um栅长GaAs PHEMT小功率晶体管,栅宽1mm,直流跨导250ms/mm,栅漏反向击穿电压大于...
[会议论文] 作者：陈堂胜,杨立杰,周焕文,李拂晓,陈效建,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
本文报告了研制的9.6mm栅宽双δ-掺杂功率PHEMT,在fo=11.2GHz、V=8.5V时对该器件输出功率37.28dBm,功率增益9.5dB,功率附加效率44.7﹪,在V=5～9V的范围内,该器件的功率附加效率均...
[期刊论文] 作者：李拂晓,李冬龙,王晖怡,李秋凤,刘继栋,
来源：现代食品科技 年份：2021
为了解γ-氨基丁酸豆酱与市售豆酱风味品质的差异,采用顶空固相微萃取和气相质谱-色谱联用技术(HS-SPME-GC-MS)对9个市售豆酱样品(S1-S9)和γ-氨基丁酸豆酱样品(S10)中的挥发性物质进行鉴定及对各样品的常规指标进行测定,并结合主成分分析(PCA)和气味活度值(OAV......
[会议论文] 作者：陈新宇,许正荣,蒋幼泉,黄子乾,李拂晓,
来源：第六届全国毫米波亚毫米波学术会议 年份：2006
本文采用GaAs PIN二极管,完成1～40 GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.砷化镓PIN二极管SPST开关单片具有低插损,高隔离,高功率的特点,在1～10 GHz带内插损0.3 dB,驻波优于1.1,隔离度大于24 dB,在10～40 GHz,带内插损小于0.8 dB,驻波优于1.2,隔离度大于30 dB.PIN二极......
[期刊论文] 作者：郑惟彬,李拂晓,李辉,沈亚,潘晓枫,沈宏昌,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
借助于传统的FET等效电路模型，给出了0．25μm GaAs PHEMT的开关模型，并在ICCAP和ADS软件中，完成等效电路参数的提取与优化。通过对单刀单掷（SPST）开关的仿真和测试，表明，在0．1～20GHz的......
[期刊论文] 作者：丁应涛，王立衡，李拂晓，高凤，高飞，汪庆祥，DINGYing,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：2013
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[会议论文] 作者：陈新宇;许正荣;蒋幼泉;张斌;李拂晓;邵凯;,
来源：2003中国国际集成电路研讨会 年份：2003
本文采用GaAs集成电路的设计和工艺技术，研制开发移动通讯用的GaAs MMIC单刀双掷开关集成电路，电路拓扑采用串并结构，在0.9GHz，插入损耗小于0.9dB，隔离度典型值为50dB，产品性能指标......
[会议论文] 作者：吴振海,陈新宇,洪倩,李拂晓,邵凯,杨乃彬,
来源：2002'全国第九届微波集成电路与移动通信学术会议 年份：2002
建立用于移动通讯用GaAs集成电路的自动测试系统,采用HP-VEE编写软件,通过微机GPIB总线控制微波测试设备,实现GaAs集成电路的快速测试、数据处理、产品筛选等功能,满足GaAs集...
[会议论文] 作者：洪倩,陈新宇,吴振海,李拂晓,邵凯,杨乃彬,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
针对移动通讯用GaAs开关集成电路,采用Agilent-VEE软件,建立多端口GaAs开关电路的RF参数自动测试系统,完成器件的快速测试、数据处理、产品筛选等功能,满足GaAs器件批量生产的需求....
[会议论文] 作者：许正荣,陈新宇,蒋幼泉,张斌,李拂晓,邵凯,
来源：2003全国微波毫米波会议 年份：2003
基于成熟的GaAs集成电路的设计和工艺技术,采用准确的控制电路模型,开发移动通讯用的GaAs MMIC单刀双掷开关芯片电路,电路拓扑采用串并型结构,在0.9GHz,插入损耗小于0.9dB,隔离度典型值为50dB,产品性能指标达到国外同类产品.GaAs开关电路采用3英寸GaAs圆片标准......
[期刊论文] 作者：洪倩,陈新宇,郝西萍,陈继义,蒋幼泉,李拂晓,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
论述多栅开关的结构和特点.开关设计中需要考虑的一个重要因素是提高开关功率处理能力的同时减小插损,多栅开关由于其特殊的结构,很好地解决了这一问题.采用多栅结构,设计的...
[期刊论文] 作者：陈新宇,陈继义,郝西萍,李拂晓,邵凯,杨乃彬,
来源：微波学报 年份：2002
本文提出了一种MESFET开关的模型--附加栅控开关模型,适用于MMIC电路的设计,其具有很好的宽带微波特性.开关单片的设计值与模型模拟值吻合较好....
[期刊论文] 作者：张有涛,夏冠群,高建峰,李拂晓,铁宏安,杨乃彬,
来源：半导体学报 年份：2004
提出了一种改进的遗传算法，应用于提取GaAsMESFET小信号等效电路参数．改进的算法采用浮点编码连续突变，多种遗传操作合作运行，并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种......
[期刊论文] 作者：陈堂胜,王晓亮,焦刚,钟世昌,任春江,陈辰,李拂晓,
来源：半导体学报 年份：2007
研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1mm栅宽器件在8GHz,34V工...
[期刊论文] 作者：任春江,李忠辉,焦刚,董逊,李肖,陈堂胜,李拂晓,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN／GaN异质结材料制作的HEMT，器件功率输出密度达4W／mm。通过材料结构及生长条件的优化，利用MOCVD技术获得了二维电子气（2DEG）面......
[期刊论文] 作者：陈新宇,冯欧,蒋幼泉,许正荣,黄子乾,李拂晓,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
采用GaAsPIN二极管，完成1～26．5GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。SPST开关单片带内插损小于0．5dB，驻波优于1．1，隔离度大于27dB，在10～26．5GHz，隔离度大于37dB。开关单片采用MOCVD生长......
[会议论文] 作者：陈堂胜,焦刚,钟世昌,任春江,陈辰,李拂晓,王晓亮,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电压,提高了器件的微波功率特性.研制的1 mm栅...
[会议论文] 作者：郑远,许晓丽,纪军,魏倩,李拂晓,邵凯,杨乃彬,
来源：第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会 年份：2005
本文报道了低压、高线性、高效率CDMA功率放大器的设计与制造.该放大器采用GaInP/GaAs HBT技术,芯片尺寸:1.1mm×1.4mm,并利用LGA封装技术将芯片和10个元件封装在6mm×6mm×1...
[期刊论文] 作者：李拂晓,孙玉芳,陈克金,蒋幼泉,陈堂胜,林金庭,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效率≥22％（11GHz时达30％）。GaAsX / Ku band mono......
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