【摘 要】
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本文报告了研制的9.6mm栅宽双δ-掺杂功率PHEMT,在fo=11.2GHz、V=8.5V时对该器件输出功率37.28dBm,功率增益9.5dB,功率附加效率44.7﹪,在V=5～9V的范围内,该器件的功率附加效率均
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本文报告了研制的9.6mm栅宽双δ-掺杂功率PHEMT,在fo=11.2GHz、V<,ds>=8.5V时对该器件输出功率37.28dBm,功率增益9.5dB,功率附加效率44.7﹪,在V<,ds>=5～9V的范围内,该器件的功率附加效率均大于42﹪,两芯片合成,在10.5～11.3GHz带内,输出功率大于39.92dBm,最大功率达到40.37dBm,功率增益大于9.9dB,典型的功率附加效率40﹪.
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