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[期刊论文] 作者：冯高明,刘波,吴良才,宋志棠,封松林,陈宝明,,
来源：半导体学报 年份：2007
为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过...
[期刊论文] 作者：刘奇斌,张楷亮,王良咏,宋志棠,封松林,
来源：半导体学报 年份：2006
从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性.采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电...
[期刊论文] 作者：汪海波,俞沁聪,刘卫丽,宋志棠,张楷亮,
来源：功能材料与器件学报 年份：2010
系统研究了抛光液的pH值、抛光压力和相对转速等因素对蓝宝石抛光速率和表面粗糙度的影响，研究结果表明：随pH值（9—12）的升高，抛光速率增加，表面粗糙度先降低后升高；随抛光压力和相......
[期刊论文] 作者：孙正旻,陈后鹏,王倩,罗胜钦,宋志棠,,
来源：电子科技 年份：2012
针对滞环恒流大功率LED驱动芯片，提出一款高性能电流采样电路。该电路采用高压工艺，可承受最高达40V的输入电压。通过分析滞环控制的特点，采用串联电阻采样技术，结合匹配电流源结......
[期刊论文] 作者：段有康,陈小刚,桂剑,马斌,李顺芬,宋志棠,
来源：浙江大学学报:工学版 年份：2021
为了实现针对特定个体的运动特点进行更精确的下肢连续运动预测和用更短的时间开展预测模型训练,采用对每个步态相位都建立预测模型的方法.在识别出当前的步态相位后,使用当...
[期刊论文] 作者：钟旻，张楷亮，宋志棠，封松林，ZhongMin，ZhangKailiang，SongZhitang，FengSonglin,
来源：城市道桥与防洪 年份：2006
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：符晓荣,武光明,宋志棠,多新中,林成鲁,
来源：无机材料学报 年份：1999
以硝酸镁为起始原料, 胶棉液为添加剂, 在Si(100)衬底上成功地制备MgO薄膜, 结果表明, 胶棉液是形成MgO溶胶的关键组份; 薄膜的晶体结构与胶棉液的含量及退火温度有关. 同时,...
[期刊论文] 作者：汪为磊,刘卫丽,白林森,宋志棠,霍军朝,
来源：无机材料学报 年份：2017
为了提高氧化铝颗粒的CMP性能,本工作探索了一种合适的改性方法.同时,为了改善其化学机械性能,通过与其表面羟基的硅烷化化学反应和与Al和仲胺的络合两种作用,用N-(2-氨基乙...
[期刊论文] 作者：胡佳俊,陈后鹏,王倩,蔡道林,宋志棠,,
来源：微电子学 年份：2012
分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术。该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹...
[会议论文] 作者：刘奇斌;张楷亮;王良咏;封松林;宋志棠;,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
Ge2Sb2Te5目前被公认为在相变存储器(PCRAM)中最好的材料.本文主要是从电化学角度考查Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中作用.我们研究了Ge2Sb2Te5薄膜在不同的PH值和H2O2浓度...
[期刊论文] 作者：符晓荣,宋志棠,多新中,林成鲁,武光明,
来源：无机材料学报 年份：2004
以硝酸镁为起始原料，胶棉液为添加剂，在Ｓｉ（１００）衬底上成功地制备ＭｇＯ薄膜，结果表明，胶棉液是形成ＭｇＯ溶胶的关键组份；薄膜的晶体结构与胶棉液的含量及退火温度有关．同时，用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、原子力显微镜（ＡＦＭ）和......
[期刊论文] 作者：张格毅,陈小刚,郭继鹏,宋志棠,陈邦明,
来源：计算机工程与应用 年份：2021
相变存储器具有集成度高、功耗低、非易失等优良特性,是作为非易失性内存最有潜力的存储介质之一。如何降低其写入延时和增加其使用寿命,是PCM作为非易失性内存时亟需解决的问题。为此,提出利用相变存储器擦除和写入时间不对称的特点擦写独立的写入方法,RSIW(Re......
[期刊论文] 作者：宋志棠,谢志峰,王晓东,翟继卫,冯洁,何进,,
来源：中国科技成果 年份：2012
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[会议论文] 作者：周东,郭旗,宋志棠,吴良才,李豫东,席善斌,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
通过60Co辐射源及电子加速器辐照实验，分析器件单元的I-V特性、R-V特性以及相变材料阻值的辐照前后变化，研究基于Ge2Sb2Te5合金的相变存储器单元的抗辐照能力。实验显示，辐照后器件单元的阈值电压及阈值电流未发生明显变化，相变特性稳定，相变材料的晶态和非晶态阻值......
[期刊论文] 作者：李晓云, 陈后鹏, 雷宇, 李喜, 王倩, 宋志棠,,
来源：上海交通大学学报 年份：2019
通过对相变存储器中的读出电路进行改进,以提升存储器的读出速度;通过降低读出电路中灵敏放大器输出端电压摆幅,使得输出端电压提早到达交点,显著减小了读出时间;同时,基于中...
[期刊论文] 作者：王丹,秦飞,刘卫丽,孔慧,宋志棠,施利毅,,
来源：应用化工 年份：2017
二氧化硅具有优异的抛光性能,是最重要的抛光磨料之一。然而随着新材料、新结构的出现,CMP磨料的需求出现多样化趋势,通过对纳米颗粒的物理化学性质进行微观设计达到满足不同...
[期刊论文] 作者：魏宏阳,蔡道林,陈一峰,霍如如,宋志棠,,
来源：电子元件与材料 年份：2015
从保持力失效时间的角度出发，对相变存储器实施了保持力加速寿命实验。实验过程中发现，在比较高的温度下，随着测试时间的增长，存储器单元的RESET阻值会逐渐变小。这个现象符合Arr......
[期刊论文] 作者：黄添益, 王本艳, 景蔚亮, 宋志棠, 陈邦明,,
来源：微电子学与计算机 年份：2018
基于SMIC 40nm CMOS工艺，设计了一种12位逐次逼近寄存器式模数转换器（SAR ADC）．在正常工作模式的基础上，增加了当模拟输入信号变化缓慢时，锁定前4位，仅转换后8位的工作模式，降低了ADC......
[期刊论文] 作者：徐成,刘波,冯高明,吴良才,宋志棠,封松林,Bomy Che,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能。结果表明：Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变...
[期刊论文] 作者：雷宇,陈后鹏,王倩,李喜,胡佳俊,宋志棠,
来源：浙江大学学报：工学版 年份：2018
分析传统相变存储器读出方法读取速度受限的原因,提出一种预充电读出方法.该方法将本地位线充电到预充电电压后开始读取数据.预充电电压设置在第一参考电压和第二参考电压的...
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