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[期刊论文] 作者：郜锦侠,张义门,张玉明,,
来源：半导体学报 年份：2006
研究了几种因素对4H-SiC隐埋沟道MOSFET沟道迁移率的影响.提出了一个简单的模型用来定量分析串联电阻对迁移率的影响.串联电阻不仅会使迁移率降低,还会使峰值场效应迁移率所...
[期刊论文] 作者：张玉明,姚立真,张义门,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
介绍了微组装热分析软件（ＭＣＡＴＡ）的热模型和数值算法，提出将环境作为一个网格节点，使热传输的三种形式及边界条件能用统一的离散化方程表示，并讨论了热传导方程离散化的原则及界面导热系......
[会议论文] 作者：曹全君,张义门,张玉明,
来源：第六届西北地区计算物理学术会议 年份：2008
由于具有高功率密度、高温、耐辐射等优良特性,射频4H-SiC MESFET受到大家的日益关注.为了提高器件的高频特性,必须减少SiC MESFET器件特征尺寸(沟道长度).随着器件沟道长度...
[会议论文] 作者：张义门,龚仁喜,张玉明,
来源：第三届计算物理学术会议 年份：2001
本文在建立GaAs PCSS的非线性工作模型的基础上,采用二维数值模拟,得到了PCSS的端特性和物理量的瞬态分布,揭示了PCSS在非线性工作时的深层次问题.从模拟结果发现,器件能否进...
[会议论文] 作者：丁晓燕,张义门,张耀辉,
来源：2008年(第十届)中国科协年会 年份：2008
CIC数字滤波器的主要特点是仅利用加法器、减法器和寄存器(无需乘法器),占用资源少、实现简单且速度高、可以减少动态功耗、在功耗与面积上占很大的优势针对这个特点本文主要论述了16-bit100Ksps sigma-deltaADC中CIC梳状滤波器的设计,并在FPGA上进行了仿真、综......
[会议论文] 作者：秦信刚,张义门,张玉明,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文研究了高频下4H-SiCMESFET的最佳源、负载阻抗,综合考虑封装产生的寄生效应给出了最佳源、负载阻抗的解析表达式,并分析了极间电容和寄生电感对源、负载阻抗的影响....
[期刊论文] 作者：龚仁喜, 邓艳, 蒋超, 张义门,,
来源：广西大学学报(自然科学版) 年份：2004
提出了一种求解线性方程组的新方法.该方法是基于Adomian 提出的变量分解思想,将每个待求未知量分解为无穷多个解分量的代数和.该方法的特点是方法简单、解精度较高、收敛速...
[期刊论文] 作者：余稳,孙晓玮,钱蓉,张义门,
来源：半导体学报 年份：2005
设计并流片制作了基于GaAsPHEMT工艺的Ka波段微波单片集成压控振荡器(MMICVCO)．该VCO具有紧凑、宽电调谐带宽及高输出功率的特点．提出了缩小芯片面积及增大调谐带宽的方法，同时...
[期刊论文] 作者：王雷,张义门,张玉明,盛立志,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2004
建立了4H-SiC MESFETs的模型,运用二维器件模拟软件MEDICI对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性进行了研究.利用正弦稳态分析的方法对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性进行了模拟...
[期刊论文] 作者：刘芳,张玉明,张义门,郭辉,
来源：半导体技术 年份：2005
由于杂质在SiC中的扩散系数很低,所以制备SiC器件欧姆接触所需要的高掺杂区必须采用离子注入技术.本文采用蒙特卡罗模拟软件TRIM模拟得出不同能量不同剂量六次注入杂质的纵向...
[期刊论文] 作者：王洁,张玉明,张义门,尹韬,
来源：电子器件 年份：2004
提出了一种新颖的频率可调范围为3个数量级的全集成变阻环形压控振荡器,应用互补型开关作为可变电阻器并通过控制其电压来调节电阻值从而达到宽调谐的目的.采用TSMC 0.25 μm...
[会议论文] 作者：张义门,郭辉,贾威,张玉明,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文建立了n型4H-SiC材料有效载流子浓度与霍尔迁移率随温度变化的关系模型,得到不同掺杂浓度和补偿率条件下有效载流子浓度随温度变化的曲线.考虑了五种散射机制对霍尔迁移...
[会议论文] 作者：张义门,李磊,王梁永,张玉明,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文对12位A/D转换器ADS7806与80c196kc单片机的接口及c语言设计进行了研究。文章介绍了其主要特性和功能,并给出了它与16位单片机80c196kc的接口方法,同时结合在电磁流量计...
[会议论文] 作者：程萍,李永平,张玉明,张义门,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法，计算了纤锌矿理想4H-SiC及含有(1/c)本征缺陷的电子结构，分析了其能带结构和电子态分布。计算结果表明：K会引入新的杂质能级，与其成键......
[会议论文] 作者：贾威[1]张玉明[2]张义门;,
来源：第六届西北地区计算物理学术会议 年份：2008
针对水平热壁式反应室,采用数值模拟的方法分析了SiC生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布、反应气体浓度分布以及生长率沿基座的分布情况.仿真分析了初始碳硅比变化对...
[会议论文] 作者：宋庆文,张玉明,张义门,徐大庆,
来源：第六届西北地区计算物理学术会议 年份：2008
本文将半导体双极晶体管的一个或多个区域用磁性半导体代替从而构造了一种不同于以往的双极晶体管半导体的新型半导体磁性双极晶体管,其工作原理基于传统半导体晶体管电流放...
[会议论文] 作者：程小强,张玉明,张义门,张林,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文采用器件模拟软件ISE TCAD模拟了P+多晶硅/P-4H-SiC异质结的正反向特性,结果表明P+多晶硅/P-4H-SiC异质结体现出了良好的整流特性,具有低的正向开启电压和高的反向击穿电...
[会议论文] 作者：程萍,张玉明,张义门,郭辉,
来源：第十七届全国半导体物理学术会议 年份：2009
在高纯半绝缘材料中，材料的半绝缘性能是由材料的本征缺陷所决定，本征缺陷不仅影响载流子的输运特性，同时对浅能级杂质补偿也具有重要的作用。其中部分本征缺陷如VC、Vsi、VcVsi......
[期刊论文] 作者：程萍,张玉明,张义门,郭辉,,
来源：半导体学报 年份：2009
The intrinsic defects in epitaxial semi-insulating 4H-SiC prepared by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) are studied by electron spin resonance (ESR...
[会议论文] 作者：王梁永,张玉明,张义门,李磊,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文对12位A/D转换器ADS7806与80c196kc单片机的接口及c语言设计进行了研究。文章介绍了其主要特性和功能,并给出了它与16位单片机80c196kc的接口方法,同时结合在电磁流量计...
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