4H-SiC MESFET高频小信号特性的模拟与分析

来源 :西安电子科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Willy_Liang

【摘要】

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建立了4H-SiC MESFETs的模型,运用二维器件模拟软件MEDICI对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性进行了研究.利用正弦稳态分析的方法对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性进行了模拟

【作者】

：

王雷张义门张玉明盛立志

【机构】

：

西安电子科技大学

【出处】

：

西安电子科技大学学报

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

：

4H-SIC 金属-半导体场效应晶体管高频小信号特征频率 Computer simulation Electric charge measurement E

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建立了4H-SiC MESFETs的模型,运用二维器件模拟软件MEDICI对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性进行了研究.利用正弦稳态分析的方法对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性进行了模拟,模拟结果与实验数值比较表明在特征频率fT以内得到了较为满意的结果.分析了不同的栅长、栅漏间距、不同的沟道掺杂以及温度变化对SiC MESFET特征频率fT的影响.

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