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[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
１９９４年亚太微波国际会议１９９４Ａｓｉａ－ＰａｃｉｆｉｃＭｉｃｒｏｗａｖｅＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ￥（ＳｕｎＺａｉｊｉＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，２１００１６）ＡＰＭＣ是三个国际性微波会议之一，它的第一届会议比Ｉ...1994 Asia-Pacific Microwave International Conference 1994Asia-PacificMicrowaveConference ¥ (SunZ......
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：光电子技术 年份：1994
东京农工大学宫田等人成功地开发了一种新的液态状光变换材料。这种材料是在聚乙二醇中渗入对硝基苯胺,分子量约为1000的液状物质,在室温下呈水凝状。对其施加电压使其发光,...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
多媒体与ＲＩＳＣ《日经》１９９４年第８－２２期报道了最新ＲＩＳＣ芯片的开发情况。美国ＭＴ，ＳＧＩ，Ｗｅｉｔｅｋ公司以及日本东芝公司共同开发了６４ｂｉｔＲＩＳＣ处理机（Ｒ８０００）。这是一种超标量方式的ＭＩＰＳ结构处理机。该机可同时进行４命令的六项演算...Multi......
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2006
据《MiRReiMicrodevices》2006年第3期报道,精工爱普生公司成功开发了一种柔性塑料基片上制成的SRAM。并可采用制作在同一块基片上的薄膜晶体管来读出其存储信息,从而有望为...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《Compound Semiconductor》2007年11/12期报道,LED固态照明器件制造商Cree公司宣布,它的XLamp LED子公司将为北京国家体育馆提供照明效果。Cree亚太区常务理事Seott Schwa...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《CompoundSemiconductor》2006年第4期报道,欧洲领先的SiC供应商德国SiCrystal公司,最近开始量产3英寸半绝缘衬底,这是它迈向功率器件、射频和光电应用领域的又一个里程碑...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《日经微器件》2006年第8期报道,NTT DoCoMo研究机构开发了使用MEMS开关,可适应从900MHz到5GHz范围内四个频段的可变RF放大器。在技术性能改善方面突出了下列几点:1用一个...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
东芝、ＩＢＭ、西门子联合开发２５６ＭｂＤＲＡＭ据日本《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９５年第８期报道，东芝、ＩＢＭ、西门子联合开发２５６ＭｂＤＲＡＭ。通过采用０．２５μｍＣＭＯＳ及单元阵列面积小型化技术，其芯片面积仅为２８５．５ｍｍ２。该...Toshiba, IBM, Siemens jointly develop......
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
据日本《SemiconductorWorld》1997年第3期报道，美国TI公司新开发了一种演算能力高达1600MIPS高效编程能力的数字信号微处理器（DSP）。该处理器1个循环可同时实行8个命令，进行二次...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
２５６Ｍｂ、１Ｇｂ ＤＲＡＭ发展动态随着Ｇｂ级ＤＲＡＭ的问世，使存储器的发展又步入了一个新台阶。韩国三星采用０．２５μｍＣＭＯＳＩ艺制作的２５６ＭｂＤＲＡＭ，其驱动电压为２．２～２．４Ｖ，存取时间为４０ｕｓ。韩国现代电子已投资了１５亿美元在京矾道本部...256Mb, 1Gb DR......
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
高Ｃ／Ｎ比低功耗微波ＶＣＯ据日本《电子技术））１９９４年第６期报道，日本ＴＤＫ公司开发了取名为ＱＶＣ系列的新型压控振荡器（ＶＣＯ）。该器件采用微波介电体片状多层结构封装。与通用ＳＭＤ型ＶＣＯ相比，体积缩／Ｊ’４０％～５０％，其尺寸为１０．０ｍｉｎＸ７...High C......
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
据《Semiconductor World》1992年第11期报道,日本三洋电机公司研究一种新的杂质扩散技术,形成了良好的n型和p型导电层。 新技术采用等离子CVD法,在Ⅲ-Ⅴ族片上生长氧化硅膜(...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
０．１μｍ栅长的ＣＭＯＳ电路门延迟为１１．８Ｐｓ据《ＮＩＫＫＩＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ》１９９３年第１２—２０期报道，１９９３年１２月６～８日在美国召开的国际电子器件会议（ＩＥＤＭ）上，美国ＡＴ＆Ｔ贝尔实验室，ＩＢＭ公司，日本富士通研究所和东芝研究开发...0.1μm gate length CMOS circuit g......
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：光电子技术 年份：1993
据日本《电子材料》1992年8月期报道,三洋电机率先开发了世界最短波长的红色半导体激光器。该激光器的振荡频率与 He-Ne 气体激光器相同,为630nm。该公司开发的激光器,以用...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
据日本《Semiconductor World》1993年第8期报道,日本夏普公司开发了1.9GHz数字式无绳电话用的GaAs MMIC发射和接收组件。 发射用的MMIC,其芯片尺寸为1.9mm×1.9mm,工作电压...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
超低电压驱动高速低功耗触发电路据日本《ＮＥＣ技报》１９９４年第４期报道，ＮＥＣ公司开发了一种新的触发电路。该电路中使用了栅长为０．２５Ｐｍ的ＧａＡｓ异质结ＦＥＴ（ＨＪＦＥＴ），用０．８Ｖ的低电源电压首次实现了１０ＧｂＰＳ的高速运作。基本电路为高集......
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：光电子技术 年份：1994
据(NIKKEI ELECTRONICS》1993年第12-20期报道,日本松下电器公司光半导体研究所开发了在面发光型激光器上堆积晶体管的新型器件。该器件的结构是在 GaAs 衬底上生长 p 型 Ga...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
ｆ_（ｍａｘ）为２２４ＧＨｚ的异质结双极晶体管据日本《ＮＥＣ技报》１９９４年第４期报道，ＮＥＣ公司开发了用于通信发射接收机的高性能异质结晶体管，该器件的最高振荡频率高达２２４ＧＨＺ。该器件的特点：①采用晶格不匹配形式，并将ＩｎｘＧａ；ｘＡｓ作为......
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
据日本《Semiconductor World》1993年第9期报道,日立中央研究所采用文部省高能物理研究所的同步加速器(SOR),以反射型掩模和X线缩小曝光技术获得16 G DRAM以后的0.07/μm图...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
据《Semiconductor World》1992年第8期报道,日本日立制作所制作了世界上最小的256M DRAM存储单元。 该存储单元的设计规格为0.25μm,尺寸为0.6μm×1.2μm(0.72μm~2)。原准...
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