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[期刊论文] 作者：刘志强,王良臣,伊晓燕,郭恩卿,王国宏,李晋闽,,
来源：半导体技术 年份：2009
热压键合是垂直结构LED制备的关键工艺步骤,通过TEM,PL,Raman等测试手段,探讨热压键合造成的应力损伤、GaN材料缺陷、LED内量子效率以及反向漏电间的内在联系,研究以键合引起...
[期刊论文] 作者：潘岭峰,李琪,伊晓燕,樊中朝,王良臣,王军喜,,
来源：微纳电子技术 年份：2011
首先分析了在制作GaN基LED时,采用干法刻蚀技术会对材料的表面和量子阱有源区造成损伤,影响了GaN基LED的内量子效率。针对这个问题,研究实验采用感应耦合等离子反应刻蚀(ICP-...
[期刊论文] 作者：伊晓燕,郭金霞,马龙,王立彬,陈宇,刘志强,王良臣,,
来源：光电子·激光 年份：2006
从器件制作角度入手，对基于Ⅲ族氮化物的功率型蓝光LEDs结构和电极体系进行了优化设计。采用梳状结构、高反电极体系及倒装焊技术，研制出大功率蓝光LEDs，在350mA工作电流下，工作......
[期刊论文] 作者：杜育哲,郭世宜,樊廷玉,王良臣,顾景龄,
来源：南开大学学报（自然科学版） 年份：2004
用透射电镜对中华绒螯蟹(Eriocheir sinensis)大颚器官(MO)的超微结构及眼柄切除后MO的变化进行了研究.中华绒螯蟹具大颚器官一对,位于大颚正后方大颚腱的基部.MO由许多细胞...
[期刊论文] 作者：王立彬,陈宇,刘志强,伊晓燕,马龙,潘领峰,王良臣,
来源：半导体光电 年份：2007
对功率型倒装结构发光二极管（LED）温度场分布进行了有限元模拟，与实测结果进行了比较，并结合传热学基本原理对模拟结果进行了分析。结果表明，凸点的形状及分布与芯片内部温差有着......
[期刊论文] 作者：张杨,曾一平,马龙,王保强,朱战平,王良臣,杨富华,
来源：半导体学报 年份：2007
利用分子束外延技术研制出InP基IhAs/In0.53Ga0.47As/AlAs共振隧穿二极管,其中势垒为10个单分子AlAs,势阱由8个单分子层In0.53Ga0.47As阱和4个单分子层InAs子阱组成.室温下峰...
[期刊论文] 作者：刘志强,王良臣,伊晓燕,王立彬,陈宇,郭德博,马龙,
来源：半导体学报 年份：2007
通过模拟计算,分析了阵列微透镜粗化对倒装结构GaN基LED提取效率的影响.并采用感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术在蓝宝石表面制备阵列微透镜,实现倒装结构GaN基LED出光面粗化...
[期刊论文] 作者：陈宇,王良臣,伊晓燕,王立彬,刘志强,马龙,严丽红,
来源：半导体学报 年份：2007
以GaN基蓝光芯片为基础制备了功率型蓝光和白光LED,在室温25℃、湿度35%、驱动电流350mA、连续老化1080h下,功率型蓝光和白光LED光衰随时间呈指数变化,分别平均衰减1.35%和2....
[期刊论文] 作者：王立彬,刘志强,陈宇,伊晓燕,马龙,潘领峰,王良臣,
来源：半导体学报 年份：2007
为了了解功率型倒装结构LED系统各部分热阻,找出LED系统散热关键,对功率型倒装结构LED系统进行了有限元热模拟,同时结合传热学基本原理分析了各部分的热阻.结果表明,LED系统...
[期刊论文] 作者：郭德博,梁萌,范曼宁,师宏伟,刘志强,王国宏,王良臣,
来源：半导体学报 年份：2007
分别用稀盐酸、王水以及（NH4）2S溶液处理p-GaN表面，通过测试样品表面01s的X射线光电子能谱（XPS），比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力；在经不同溶液处理后的样品表面，以相同的条......
[期刊论文] 作者：王建林,刘忠立,王良臣,曾一平,杨富华,白云霞,
来源：半导体学报 年份：2005
在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上，研究和分析了分立器件的制作工艺，给出了分立器件的制作工艺参数．利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件，并在室......
[期刊论文] 作者：罗谦,杨谟华,杜江锋,梅丁蕾,王良臣,白云霞,
来源：半导体学报 年份：2004
提出了一种CaN薄膜电学参量测试新方法．该方法基于双肖特基结二极管结构，利用非对称的电极图形获取整流特性，从而省去了复杂的欧姆接触形成工艺，可方便地导出电子电导迁移率和肖......
[期刊论文] 作者：樊中朝,余金中,陈少武,杨笛,严清峰,王良臣,
来源：半导体学报 年份：2004
研究了以C4F8／SF6／O2为刻蚀气体，利用ICP刻蚀技术制作SOI脊形光波导过程中，刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系．实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数，在低偏压、......
[期刊论文] 作者：王建林,王良臣,曾一平,刘忠立,杨富华,白云霞,
来源：半导体学报 年份：2005
设计了一种带有Al0.22Ga0.78As／In0.15Ga0.85As／GaAs发射极空间层和GaAs／In0.15Ga0．85As／GaAs量子阱的共振隧穿二极管(RTD)材料结构，并且成功地制作了相应的RTD器件．在室温下，测试了R...
[期刊论文] 作者：郭德博,梁萌,范曼宁,师宏伟,刘志强,王国宏,王良臣,,
来源：半导体学报 年份：2007
分别用稀盐酸、王水以及(NH4)2S溶液处理p-GaN表面,通过测试样品表面O1s的X射线光电子能谱(XPS),比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力;在经不同溶液处理后的样品表面,以...
[会议论文] 作者：刘志强,王良臣,伊晓燕,王立彬,陈宇,郭德博,马龙,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
通过感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术在蓝宝石表面制备阵列微透镜,实现倒装结构GaN基LED出光面粗化,并研究了阵列微透镜粗化对GaN基LED性能的影响.测试结果表明,相对于普通...
[会议论文] 作者：陈宇,伊晓燕,王立彬,刘志强,马龙,王良臣,严丽红,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
以GaN基蓝光芯片为基础制备了功率型蓝光和白光LED,在室温25℃、湿度35％、驱动电流350mA连续老化1080小时后,并对LED的失效机理进行分析.结果表明,功率型蓝光和白光LED光衰随...
[期刊论文] 作者：王建林,王良臣,曾一平,刘忠立,杨富华,白云霞,
来源：半导体学报 年份：2005
设计了一种带有Al0 .2 2 Ga0 .78As/In0 .15Ga0 .85As/GaAs发射极空间层和GaAs/In0 .15Ga0 .85As/GaAs量子阱的共振隧穿二极管 (RTD)材料结构 ,并且成功地制作了相应的RTD器...
[期刊论文] 作者：梁萌, 王国宏, 范曼宁, 郭德博, 刘广义, 马龙, 王良臣,,
来源：液晶与显示 年份：2007
...
[期刊论文] 作者：王春桃,王良臣,潘昌立,熊创亚,李劲松,李宗道,,
来源：中国麻作 年份：1982
苎麻是纺织工业原料。近几年来，各主产麻区纷纷建立纺织原料基地，氮素化肥施用量大大增加，对提高苎麻单产起了显著作用。但氮化肥最适用量和经济效益，以及氮素对纤维质量的影响怎......
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