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[期刊论文] 作者：屈江涛,张鹤鸣,胡辉勇,徐小波,王晓艳,,
来源：电子科技大学学报 年份：2012
针对Si/SiGe pMOSFET器件结构求解泊松方程,同时考虑器件尺寸减小所致的物理效应,如漏致势垒降低（DIBL）效应、短沟道效应（SCE）和速度过冲效应,获得了强反型时小尺寸P＋多晶SiGe栅应...
[期刊论文] 作者：张志锋,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,宋建军,,
来源：半导体技术 年份：2008
在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道NMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si NMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈值电...
[期刊论文] 作者：戴显英,郝东艳,张鹤鸣,胡辉勇,吕懿,,
来源：西安电子科技大学学报(自然科学版) 年份：2004
提出了一种新的SiGe CMOS结构,应用MEDICI软件对该结构CMOS器件的主要电学参数与其几何结构和物理结构参数的关系进行了模拟分析.根据模拟结果,讨论分析了应变SiGe层、弛豫Si...
[期刊论文] 作者：舒斌,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,戴显英,,
来源：物理学报 年份：2004
为了能直观地体现SiGe/Si电荷注入晶体管的收集极电流与漏源电压的关系,利用输入端SiGe/Si量子阱中二维空穴气的隧道模型,建立起此类器件的输入输出数学模型,并利用MATLAB软...
[会议论文] 作者：傅强,张鹤鸣,胡辉勇,戴显英,宣荣喜,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
生长在驰豫SiGe层上的Si产生张应变，使载流子的迁移率显著提高，因此应变Si NMOSTET可以得到非常好的性能。本文在讨论分析了应变SiNMOSFET的结构特性和器件物理的基础上，推...
Effects of rapid thermal annealing on crystallinity and Sn surface segregation of Ge_(1-x)Sn_x films
[期刊论文] 作者：苗渊浩,胡辉勇,宋建军,宣荣喜,张鹤鸣,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
Germanium-tin films with rather high Sn content(28.04% and 29.61%) are deposited directly on Si(100) and Si(111)substrates by magnetron sputtering. The mechanis...
[会议论文] 作者：张志锋,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,宋建军,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文在研究分析驰豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈...
[期刊论文] 作者：徐小波,张鹤鸣,胡辉勇,马建立,许立军,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
The base-collector depletion capacitance for vertical SiGe npn heterojunction bipolar transistors (HBTs) on silicon on insulator (SOI) is split into vertical an...
Weak avalanche multiplication in SiGe heterojunction bipolar transistors on thin film silicon-on-ins
[期刊论文] 作者：徐小波,张鹤鸣,胡辉勇,李妤晨,屈江涛,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
In this paper, we propose an analytical avalanche multiplication model for the next generation of SiGe silicon- on-insulator (SOI) heterojunction bipolar transi...
[期刊论文] 作者：宋建军,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,戴显英,,
来源：物理学报 年份：2010
利用应变Si1-xGex/(111)Si材料价带E(k)-k关系,研究获得了沿不同晶向的空穴有效质量,并在此基础上,建立了空穴各向同性有效质量模型.结果表明,与弛豫材料相比,应变Si1-xGex/(...
[期刊论文] 作者：张志锋,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,宋建军,,
来源：物理学报 年份：2009
在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压与SiGe层...
[期刊论文] 作者：宋建军,张鹤鸣,宣荣喜,胡辉勇,戴显英,,
来源：物理学报 年份：2009
基于应变Si/(001)Si1-xGex材料价带E(k)-k关系模型,研究获得了其沿不同晶向的空穴有效质量.结果表明,与弛豫材料相比,应变Si/(001)Si1-xGex材料价带带边(重空穴带)、亚带边(...
[期刊论文] 作者：宋建军,张鹤鸣,胡辉勇,戴显英,宣荣喜,,
来源：半导体学报 年份：2010
Calculations were performed on the band edge levels of(111)-biaxially strained Si on relaxed Si_(1-x)Ge_x alloy using the k·p perturbation method coupled with...
[期刊论文] 作者：胡辉勇,张鹤鸣,贾新章,戴显英,宣荣喜,,
来源：半导体学报 年份：2007
根据SiGe材料的物理特性,提出了一种新有源层材料的三维CMOS集成电路.该三维CMOS集成电路前序有源层仍采用Si材料,制作nMOS器件;后序有源层则采用SiGe材料,以制作pMOS器件.这...
[期刊论文] 作者：宋建军,张鹤鸣,戴显英,胡辉勇,宣荣喜,,
来源：半导体学报 年份：2008
采用结合形变势理论的k.p微扰法建立了(101)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的双轴应变Si的带边模型.结果表明:[001],[00],[100]及[00]方向能谷构成了该应变Si的导带带边,其能...
[期刊论文] 作者：宋建军,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,戴显英,
来源：物理学报 年份：2009
采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了（001）,（101）和（111）面弛豫Si衬底上生长的应变Si1-xGex（x≤0.5）的能带结构模型,获得了其导带带边能级、价带带边能级、导带劈裂能、价带劈裂能及......
[会议论文] 作者：宋建军,张鹤鸣,戴显英,胡辉勇,宣荣喜,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
应变Si CMOS技术是当前研究发展的重点，其材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。本文采用结合形变势理论的KP微扰法，建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明：[00±1]方向能谷构成了张应变Si导带带边，其能量值......
[期刊论文] 作者：姜涛,张鹤鸣,戴显英,舒斌,胡辉勇,王伟,
来源：电子科技 年份：2004
RST(实空间电荷转移)逻辑器件已能够实现"异或"、"或"以及"与非"功能.文中在分析RST器件、LD器件基本结构与工作原理的基础上,提出了一种新的器件结构,该器件结构将光发射器...
[期刊论文] 作者：戴显英, 张鹤鸣, 胡辉勇, 吕懿, 王伟, 李开成,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2004
在求解漂移扩散方程的基础上,建立了全面系统的SiGe HBT直流特性模型及物理意义清晰的各电流解析表达式.所建立的SiGe HBT直流特性的各电流模型均适应大注入及小注入情况.模...
[期刊论文] 作者：杨旻昱,宋建军,张静,唐召唤,张鹤鸣,胡辉勇,,
来源：物理学报 年份：2015
应力作用下MOS性能可显著提升,小尺寸MOS沟道中单轴应力的引入可通过在MOS表面覆盖淀积SiN膜实现.虽然该工艺已广泛应用于MOS性能的提升,但有关SiN膜致MOS沟道应力的产生机理...
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