【摘 要】
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在求解漂移扩散方程的基础上,建立了全面系统的SiGe HBT直流特性模型及物理意义清晰的各电流解析表达式.所建立的SiGe HBT直流特性的各电流模型均适应大注入及小注入情况.模
【机 构】
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西安电子科技大学,模拟集成电路国家重点实验室
【基金项目】
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国家重点实验室基金，国家部委预研项目
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在求解漂移扩散方程的基础上,建立了全面系统的SiGe HBT直流特性模型及物理意义清晰的各电流解析表达式.所建立的SiGe HBT直流特性的各电流模型均适应大注入及小注入情况.模拟分析了基区掺杂浓度及Ge组分对电流密度的影响,模拟结果表明,基区掺杂浓度的增加减小了集电极电流、增大了中性基区复合电流,从而降低了电流增益;而Ge组分越高,集电极电流密度就越大,从而提高了SiGe HBT的电流增益.模拟了基区发射结侧Ge组分及发射区掺杂浓度对基区空穴反注入电流密度的影响,结果表明,提高Ge组分能明显减小空穴反注
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