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[期刊论文] 作者:张恒,曲爽,王成新,胡小波,徐现刚, 来源:人工晶体学报 年份:2015
使用金属有机化学气相沉积法生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。研究了生长压力和载气组分对AlGaN势垒层及AlGaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率的影响。原子力显微镜(...
[期刊论文] 作者:张恒,曲爽,王成新,胡小波,徐现刚,, 来源:人工晶体学报 年份:2015
使用金属有机化学气相沉积法在c轴蓝宝石衬底上制作了GaN基LED。研究了外延层厚度和n型层的生长速率对整个外延弯曲度、翘曲度及应力的影响。光致发光(PL)光谱、FM100及拉曼(...
[会议论文] 作者:徐现刚, 胡小波, 王继扬, 蒋民华,, 来源: 年份:2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”$ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’#陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者:徐现刚,胡小波,王继扬,蒋民华, 来源:人工晶体学报 年份:2003
SiC是一种重要的半导体材料,它具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料...
[期刊论文] 作者:崔潆心,徐明升,徐现刚,胡小波,, 来源:无机材料学报 年份:2015
利用高分辨X射线衍射方法,分析了在4H-Si C(0001)面上采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的Ga N薄膜的位错。采用对称面衍射和斜对称面衍射等方法研究了晶面倾转角、面内扭转......
[期刊论文] 作者:葛炳辉,张怀金,徐现刚,王继扬, 来源:人工晶体学报 年份:2004
研究了Er∶Yb∶YCa4O(BO3)3(简称Er∶Yb∶YCOB)的多晶制备和单晶生长,用提拉法生长出光学质量优良的Er∶Yb∶YCOB单晶,测量了其吸收光谱和荧光光谱,分析了其能级和泵浦原理,...
[期刊论文] 作者:张恒,曲爽,王成新,胡小波,徐现刚,, 来源:人工晶体学报 年份:2015
使用金属有机化学气相沉积法生长了AlGN/GaN高电子迁移率晶体管.研究了生长压力和载气组分对AlGaN势垒层及AlGaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率的影响.原子力显微镜(AFM...
[期刊论文] 作者:张恒,曲爽,王成新,胡小波,徐现刚,, 来源:人工晶体学报 年份:2015
使用金属有机化学气相沉积法在c轴蓝宝石衬底上制作了GaN基LED.研究了外延层厚度和n型层的生长速率对整个外延弯曲度、翘曲度及应力的影响.光致发光(PL)光谱、FM100及拉曼(Ra...
[期刊论文] 作者:徐现刚,崔得良,唐喆,郝霄鹏,K.Heime, 来源:黑龙江科技学院学报 年份:2002
Lattice-matched InGaAs/InP heterostructures have been grown by using metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) with tertiarybutylarsine (TBAs), tertiarybutylphos...
[会议论文] 作者:朱学亮,吴德华,李树强,曲爽,徐现刚, 来源:第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009) 年份:2009
利用MOCVD在国产SiC衬底上外延高质量的GaN薄膜.随着SIN缓冲层厚度的增加.GaN或核岛的尺寸减小;当AIN缓冲层是20nm时,GaN的表面原子台吩平行度最好,且此时GaN的黄光带发射较...
[会议论文] 作者:朱学亮,吴德华,曲爽,李树强,徐现刚, 来源:第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009) 年份:2009
利用MOCVD在国产SiC衬底上外延高质量的GaN薄膜.随着SIN缓冲层厚度的增加.GaN或核岛的尺寸减小;当AIN缓冲层是20nm时,GaN的表面原子台吩平行度最好,且此时GaN的黄光带发射较...
[期刊论文] 作者:徐现刚,崔得良,唐喆,郝霄鹏,K.Heime, 来源:中国科学(A辑) 年份:2001
采用液态的叔丁基砷 (tertiarybularsine ,TBAs)和叔丁基磷 (tertiarybulphosphine ,TBP)为源材料 ,用有机金属气相外延 (metalorganicvaporphaseepitaxy ,MOVPE)生长了与InP...
[期刊论文] 作者:朱振, 任夫洋, 邓桃, 夏伟, 徐现刚, 来源:光电子·激光 年份:2019
[会议论文] 作者:徐现刚,胡小波,王继扬,蒋民华, 来源:第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份:2003
本文报道采用升华法生长的大直径SiC单晶,升华过程是在低压高温下进行的,在解决了设备的稳定性和重复性问题后,得到可用来加工直径为两英寸晶片的6H-SiC单晶.同时还采用热力学理论分析了SiC的分解,结果表明在2300度附近的生长温度下,Si、SiC、SiC是Si-C热力学平......
[会议论文] 作者:王强,李树强,王成新,曲爽,徐现刚, 来源:第七届中国国际半导体照明论坛 年份:2010
本文设计了一种特定波长(540nm)具有非对称量子垒的InGaN 量子阱(QW),通过数值模拟,得到量子阱区域的能带图、电子电流分布以及输出功率和内量子效率的分析。与传统的InGaN QW相比较,使用非对称垒的QW结构。器件的漏电流明显降低。输出功率、内量子效率均有提高,而......
[期刊论文] 作者:彭燕,陈秀芳,彭娟,胡小波,徐现刚,, 来源:人工晶体学报 年份:2016
采用数值模拟研究PVT法φ150 mm 4H-SiC单晶生长的功率、频率选择、坩埚位置及保温厚度等关键生长参数。研究表明φ150 mm 4H-SiC单晶生长功率是2inch 4H-SiC生长功率的2倍,...
[会议论文] 作者:沈燕, 刘青, 蔺福合, 王英, 李树强, 徐现刚,, 来源: 年份:2011
蓝宝石衬底Ga N基蓝绿光LED管芯因其表面双电极特点,部分pn结区裸露在管芯表面覆盖一层透明的介质膜,一方面能有效保护芯片结区不被污染,一方面还能优化芯片的光特性。本文主...
[期刊论文] 作者:李娟,胡小波,高玉强,王翎,徐现刚,, 来源:人工晶体学报 年份:2008
采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AlN单晶生长习性进行了研究。结果表明,在低温下,AlN单晶显露面为(0001)面,随着温度的升高,AlN单晶显露面转化为......
[期刊论文] 作者:杨扬,孙素娟,李沛旭,夏伟,徐现刚,, 来源:半导体技术 年份:2015
采用不同温度对Au80Sn20共晶合金焊料进行烧结实验,研究了Au Sn焊料薄膜在烧结后的形貌、物相组成以及对封装激光器的性能影响等。焊料在烧结后形成ζ相Au5Sn和δ相Au Sn两种...
[期刊论文] 作者:刘鹏,朱振,陈康,王荣堃,夏伟,徐现刚, 来源:人工晶体学报 年份:2021
针对高功率808 nm激光器泵浦源的应用需求,设计并制备了InGaAsP/GaInP材料体系的无铝有源区半导体激光器。使用双非对称的限制层及波导层结构,降低了P侧材料的热阻及光吸收。...
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