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本文报道采用升华法生长的大直径SiC单晶,升华过程是在低压高温下进行的,在解决了设备的稳定性和重复性问题后,得到可用来加工直径为两英寸晶片的6H-SiC单晶.同时还采用热力学理论分析了SiC的分解,结果表明在2300度附近的生长温度下,Si、Si<,2>C、SiC<,2>是Si-C热力学平衡下的主要物种,其平衡分压比同组分的SiC物种高出3个量级,因此它们是升华过程中的主要物种,其质量传输过程直接决定SiC的生长.