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[期刊论文] 作者：赵有文,陈旭东,孙同年,刘思林,杨光耀,
来源：半导体情报 年份：1995
通过对产生孪晶的工艺条件的研究比较，分析了ＬＥＣ－ＩｎＰ晶体中产生孪晶的原因。实验证明，建立一个稳定合适的热场、保持Ｂ＿２Ｏ＿３的透明度、控制好掺杂量等是减少孪晶的必要条件。Through the co......
[期刊论文] 作者：赵有文,刘思林,孙同年,高书增,,
来源：半导体情报 年份：2004
介绍了在高压单晶炉内每次直接合成1000g InP的新工艺。对合成的InP进行测试表明,非掺杂InP的载流子浓度一般为3～6×10~(15)cm~(-3),迁移率4200cm~2/V.s以上,最高可达4700～4900...
[会议论文] 作者：焦兆文,杭德龙,赵有文,夏必文,
来源：第三十四届中国植保信息交流会暨农药械交易会 年份：2018
稻田释放赤眼蜂控制二化螟、稻纵卷叶螟危害是水稻病虫绿色防控的有效措施之一.为了解赤眼蜂不同释放方法的控制效果,探讨稻田人工释放赤眼蜂应用技术,从而为进一步开展示范和推广提供科学依据,2013年笔者在中稻上进行了蜂卡不同放置高度、667m2不同数量、667m2......
[期刊论文] 作者：张瑞,张璠,赵有文,董志远,杨俊,
来源：半导体学报 年份：2008
分别在550和800℃对CVT方法生长的非掺ZnO单晶进行闭管磷扩散.通过Hall测试、X射线光电子谱（XPS）、光致发光（PL）以及喇曼散射对扩散后的样品进行测试分析.发现扩散掺杂后的ZnO单...
[期刊论文] 作者：张璠,赵有文,董志远,张瑞,杨俊,,
来源：半导体学报 年份：2008
研究了In掺杂n型ZnO体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、X射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行了分析.掺In后容...
[期刊论文] 作者：赵有文,罗以琳,冯汉源,C.D.Beling,林兰英,
来源：半导体学报 年份：2004
利用霍尔效应、电流-电压(I-V)、光致发光谱(PL)和光电流谱(PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质.半绝缘InP的I-V特性明显地依赖于掺铁的浓度.掺铁的浓度也对半绝缘InP的...
[期刊论文] 作者：董志远,赵有文,刘彤,王俊,陈腾,,
来源：中国科技成果 年份：2016
人类发展离不开能源的开发利用，但目前矿石能源的消耗对自然环境的破坏已经严重影响，太阳能被认为是未来清洁能源的主要供给方式，这也是近几年光伏产业得以飞速发展的主要原因。......
[期刊论文] 作者：张瑞,张璠,赵有文,董志远,杨俊,,
来源：半导体学报 年份：2008
分别在550和800℃对CVT方法生长的非掺ZnO单晶进行闭管磷扩散.通过Hall测试、X射线光电子谱(XPS)、光致发光(PL)以及喇曼散射对扩散后的样品进行测试分析.发现扩散掺杂后的Zn...
[期刊论文] 作者：赵有文,罗以琳,冯汉源,C.D.Beling,林兰英,
来源：半导体学报 年份：2002
利用霍尔效应、电流 电压 (I V)、光致发光谱 (PL)和光电流谱 (PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质 .半绝缘InP的I V特性明显地依赖于掺铁的浓度 .掺铁的浓度也对半绝缘...
[期刊论文] 作者：占荣,赵有文,于会永,高永亮,惠峰,,
来源：半导体学报 年份：2008
垂直梯度凝固法(VGF)生长的低位错半绝缘(SI)GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火...
[期刊论文] 作者：于会永,赵有文,占荣,高永亮,惠峰,,
来源：半导体学报 年份：2008
研究了垂直梯度凝固法(VGF法)生长的掺Si低阻GaAs单晶材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微...
[期刊论文] 作者：赵有文,吕小红,董志远,段满龙,孙文荣,
来源：半导体学报 年份：2007
利用电学测试、正电子寿命谱和X射线衍射技术研究了原生和退火处理后InP单晶的空位和填隙缺陷.在原生掺铁半绝缘InP单晶中含有空位缺陷,这些空位产生深能级电学补偿缺陷,降低...
[期刊论文] 作者：赵有文,董志远,孙文荣,段满龙,杨子祥,
来源：半导体学报 年份：2004
分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响,包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响,坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等.对这些缺陷的形成原因和抑制途径...
[会议论文] 作者：李巍巍;赵有文;董志远;杨俊;胡炜杰;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
对自成核生长的(0001)AlN单晶进行了高浓度Si、Zn离子注入掺杂。利用阴极荧光(CL)和光荧光(PL)谱分析了单晶的缺陷和发光特性。PL结果显示离子注入后AlN的带边发光峰变为位于...
[会议论文] 作者：赵有文,董志远,吕小红,段满龙,孙文荣,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
利用电学测试、正电子寿命谱和X-射线衍射研究了原生和退火处理后半绝缘InP单晶的空位、填隙缺陷.原生掺铁半绝缘InP单晶含有空位缺陷,这些空位产生深能级补偿缺陷,降低材料的电学性能.经高温磷化铁气氛下退火处理非掺InP制备的半绝缘材料,空位被充分抑制,却含......
[期刊论文] 作者：孙聂枫, 陈旭东, 赵有文, 杨光耀, 刘思林, 孙同年,,
来源：半导体情报 年份：1998
回顾了磷化铟（ＩｎＰ）晶体材料的发展过程，介绍了磷化铟材料的多种用途和优越特性，展望了磷化铟材料在我国的发展前景。...
[期刊论文] 作者：赵有文,董志远,李成基,段满龙,孙文荣,,
来源：半导体学报 年份：2006
综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与...
[期刊论文] 作者：赵有文,董志远,魏学成,段满龙,李晋闽,,
来源：人工晶体学报 年份：2006
利用化学气相传输法生长了ZnO单晶。在无籽晶自发成核的条件下，使用碳辅助增强质量传输方法，得到了晶粒尺寸达4mm×10mm的ZnO晶体。利用长有GaN层的蓝宝石晶片作为衬底，得到...
[期刊论文] 作者：赵有文,董志远,魏学成,段满龙,李晋闽,,
来源：半导体学报 年份：2006
研究了高温升华法（PVT）生长AlN体单晶的技术和材料的性质.使用陶瓷BN坩埚,加热温度约在1900℃左右,生长结果为AlN晶须或致密多晶,难以生长出较大的AlN晶粒.用钨坩埚加热生长温...
[期刊论文] 作者：赵有文,董志远,魏学成,段满龙,李晋闽,,
来源：半导体学报 年份：2006
利用化学气相传输法生长了ZnO单晶．通过控制源区和生长端的温度梯度，使用碳辅助增强质量传尊挚应，在无籽晶自发成核的条件下，得到了晶粒尺寸达5mm×8mm的ZnO晶体．利用长有GaN......
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