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[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赟,王雯,贾铃铃,柏松,陈辰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
在76．2mm4H—SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管（JBS）。在室温下，器件反向耐压达到2700V。正向开启电压为0．8V，在VF=2V时正向电流密度122A／cm^2，比导通......
[期刊论文] 作者：李哲洋，董逊，柏松，陈刚，陈堂胜，陈辰，LiZheyang，DongXun，BaiSong，ChenGang，ChenTangsheng，ChenChen,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：柏松，陈刚，李哲洋，张涛，汪浩，蒋幼泉，BaiSong，ChenGang，LiZheyang，ZhangTao，WangHao，JiangYouquan,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：陈刚，柏松，张涛，汪浩，李哲洋，蒋幼泉，ChenGang，BaiSong，ZhangTao，WangHao，LiZheyang，JiangYouquan,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：陈刚,蒋幼泉,李哲洋,张涛,吴鹏,冯忠,汪浩,陈征,陈雪兰,柏松,
来源：全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议 年份：2008
本论文针对S波段1mm、3.6mm、9mm、20mm多种大栅宽4H-SiC MESFET功率管的版图设计、制作工艺和微波性能进行研究及比较.采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片,制作出单胞总栅宽1mm、3.6mm、9mm、20mm的芯片,经过装架、压丝,通过自主搭建的脉冲微波测试系统,......
[会议论文] 作者：陈刚,李拂晓,邵凯,张震,柏松,张涛,汪浩,李哲洋,蒋幼泉,黄念宁,陈辰,
来源：第六届全国毫米波亚毫米波学术会议 年份：2006
本文介绍了采用国产SiC外延片的4H-SiC MESFET 1 mm多栅器件的最新研制进展.制造出单栅宽100 um,总栅宽1 mm,栅长0.8 um的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果:在2 GHz频...
[会议论文] 作者：孙永强,钱卫宁,吕立平,吴金勃,李弈洋,李哲洋,张建辉,冯淦,
来源：中国物理学会2013年秋季学术会议 年份：2013
本论文通过对4度偏角4H-SiC衬底的高温热处理过程进行对比研究，提出一种能有效降低外延生长表面缺陷和改善外延层表面形貌的热处理方法，并对其机理进行了探讨。原子级平坦......
[会议论文] 作者：柏松;蒋幼泉;陈辰;陈刚;冯忠;钱峰;陈征;吴鹏;任春江;李哲洋;郑惟彬;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和删TC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研...
[期刊论文] 作者：柏松,陈刚,冯忠,钱峰,陈征,吴鹏,任春江,李哲洋,郑惟彬,蒋幼泉,陈辰,,
来源：半导体技术 年份：2008
利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研...
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