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[期刊论文] 作者：沈菊,宋志棠,刘波,封松林,
来源：半导体技术 年份：2008
介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理，设计了一种依靠电流驱动的驱动电路，整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于......
[期刊论文] 作者：梁爽,宋志棠,刘波,封松林,,
来源：微计算机信息 年份：2007
计算机通过GPIB卡和串口分别控制脉冲信号发生器和单片机实现对C-RAM（Chalcogenide-Random Access Memory）储阵列芯片的数据存储、数据读取和简单的数据运算的直观演示.本文重...
[会议论文] 作者：宋志棠;任巍;张良莹;姚熹;,
来源：第三届中国功能材料及其应用学术会议 年份：1998
采用金属有机热分解方法制备了pb过量的钢铁酸铅（PLT）铁电薄膜。电子探针和俄歇电子能谱证实了过量Pb存在于PLT薄膜中和界面上。薄膜的I（t）曲线研究表明，Pb过量的PLT薄膜中存在有......
[会议论文] 作者：刘波,宋志棠,封松林,吴关平,
来源：第十届全国固体缺陷学术研讨会 年份：2011
相变存储器由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目...
[期刊论文] 作者：宋志棠,陈苏,汪扬,封松林,
来源：光子学报 年份：2005
采用超高真空电子束蒸发制备了一维紫外、可见光波段光子晶体.研究了在石英衬底上不同周期Ag/SiO2体系对光子带隙的影响.带隙位置与理论计算结果符合.发现二氧化硅层的厚度对...
[期刊论文] 作者：宋志棠,任巍,张良莹,姚熹,
来源：压电与声光 年份：1997
室温下在ＭＯＤ法制备的ＰＬＴ铁电薄膜的样品上，观察不同电场强度下电流随时间的变化，根据电流的变化情况，把电场划分为弱、中、强三个区间。在弱场下，电流随时间的变化可用幂指数的衰减来模......
[期刊论文] 作者：张泽芳,刘卫丽,宋志棠,,
来源：半导体学报 年份：2010
The effect of the ammonium molybdate concentration on the material removal rate(MRR) and surface quality in the preliminary chemical mechanical polishing(CMP) o...
[期刊论文] 作者：宋志棠,刘纯亮,夏慧琴,
来源：原子能科学技术 年份：1996
利用自行研制的软件包推导出非均匀扇形磁场所有三阶象差系数的具体解析表达式。纠正了国外学者手工推导的径向三阶象差系数的６项错误。首次推导出了非均匀扇形磁场的轴向三阶......
[期刊论文] 作者：宋志棠,任巍,张良莹,姚熹,
来源：材料研究学报 年份：1998
采用金属有机热分解法制备了Pb过量的PLT铁电薄膜电子探针和Auger电子能谱分析证实了在薄膜中及薄膜与底电极界面上存在过量Pb引起成份偏析，导致缺陷能级上的陷阱电荷。在退极...
[会议论文] 作者：张泽芳,刘卫丽,宋志棠,
来源：第十三届全国LED产业发展与技术研讨会 年份：2012
本文制备了一种纳米氧化硅抛光液，采用扫描电镜、激光粒度仪、大颗粒计数仪对其进行了表征.进而研究了其在蓝宝石表面的抛光性能，采用FRT、Candela、原子力显微镜等对抛光后的表面进行了表征.结果表明制备的纳米氧化硅抛光液在LED蓝宝石衬底表面具有优异的抛光性......
[会议论文] 作者：刘波,宋志棠,封松林,Bomy Chen,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文采用磁控射频溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂硅后,Ge2Sb2Te5薄膜的电......
[会议论文] 作者：张楷亮,宋志棠,刘玉岭,
来源：上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会 年份：2004
本文对硅单晶材料到抛光片的关键加工工艺:切割、磨片、化学机械抛光、清洗等工序进行了分析,并对相应的工艺化学品进行研究和应用.研究表明工艺过程中适当增强化学作用可以降低机械损伤、减少机械和热应力导致的缺陷,提高硅片质量和成品率,尤其是清洗工艺中特......
[期刊论文] 作者：钟旻, 张楷亮, 宋志棠, 封松林,,
来源：润滑与密封 年份：2006
CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,相关机制模型的研究是当前CMP的热点。综述了考虑抛光液的流动、抛光垫的弹性和硬度、研磨颗粒的大小和硬度等不同因素的机制模型,并对基于...
[期刊论文] 作者：陈杨,钱程,宋志棠,闵国全,,
来源：材料研究学报 年份：2014
用无皂乳液聚合法制备了粒径为200-500nm的单分散聚苯乙烯(PS)微球。依靠正负电荷间作用力将样品分散在经过亲水处理的硅热氧化片刚性衬底上,借助原子力显微镜纳米压痕技术测...
[期刊论文] 作者：田方,娄豫皖,宋志棠,刘文叔,
来源：科学技术与工程 年份：2011
研究动力氢镍电池循环寿命仿真问题，针对目前动力系统仿真中电池模型不考虑循环寿命的缺陷，为提高电池循环性能仿真精度，提出了动态更新模型参数进行电池寿命仿真的方法。以Oliv......
[期刊论文] 作者：张楷亮,宋志棠,封松林,CHEN,Bomy,
来源：微电子学 年份：2005
随着半导体行业的飞速发展,集成电路特征尺寸的微细化,半导体薄膜表面的高平坦化对器件高性能、低成本、高成品率有着重要的影响.作为唯一能实现全局平坦化方法的化学机械抛...
[期刊论文] 作者：刘奇斌,宋志棠,吴良才,封松林,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2007
Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度。本实验主要研究了用于非挥发存储器的含有Ge纳米晶MIS结构的电荷存储特性。MIS结构由电子...
[期刊论文] 作者：钟旻,张楷亮,宋志棠,封松林,
来源：半导体学报 年份：2006
针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、...
[期刊论文] 作者：封松林,宋志棠,刘波,刘卫丽,
来源：微纳电子技术 年份：2004
系统地介绍了硫系化合物随机存储器(C-RAM)的原理、相关材料、研究现状、特点及今后的发展趋势以及中科院上海微系统与信息技术研究所在C-RAM方面的研究进展.C-RAM由于具有高...
[期刊论文] 作者：宏潇,陈后鹏,宋志棠,刘波,
来源：电路与系统学报 年份：2013
设计了一款低噪声、低功耗的电荷泵,适用于相变存储器驱动电路中的锁相环时钟。与其它结构的电荷泵相比较,此款电路对时钟馈通与电荷注入等干扰免疫力强。根据相变存储器对驱...
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