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[期刊论文] 作者：何宇亮,奚中和,余明斌,李月霞,彭英才,刘明,
来源：半导体杂志 年份：1998
利用纳米硅薄膜中微晶粒的量子点（Ｑ．Ｄ）特征制成隧道二极管结构，在液氮温区（〈１００Ｋ）在其σ－Ｖ，Ｉ－Ｖ及Ｃ－Ｖ特性曲线上呈出共振隧穿峰，库仑台阶和量子振荡现象，说明，对无序分布着量子点阵列，只要其粒子尺寸足......
[会议论文] 作者：马剑平,陈治明,罗家骏,雷天民,余明斌,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
用电化学阳极氧化法在淀积于Ｓｉ（１００）衬底上的纳米碳化硅薄膜中制成局部的多孔碳化硅样品。在对这种多孔碳化硅薄膜样品进行的光致发光实验中观察到较强的室温可见光荧光及其在紫外光......
[会议论文] 作者：余明斌,马剑平,罗家骏,陈治明,雷天民,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
用热丝化学汽相淀积法（ＨＦＣＶＤ）在衬底温度为６００°Ｃ时制备具有纳米晶体结构的碳化硅薄膜。用ＸＰＳ、ＸＲＤ、拉曼撒射和ＨＲＴＥＭ等手段分析证明了薄膜样品的纳米晶体结构特征，光荧光测试表明这种材料在室温下具......
[期刊论文] 作者：何宇亮,韦亚一,余明斌,郑国珍,刘明,张蔷,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
使用超高真空PECVD薄膜沉积系统制备的纳米桂薄膜（nc－Si：H）具有高电导特性。为了探讨其导电机制，先使用K．Yoshida早期提出的两相无序结构有效电导模型分别对晶粒电导和界面电导进行......
[期刊论文] 作者：彭英才,刘明,余明斌,李月霞,奚中和,何宇亮,
来源：半导体学报 年份：1998
采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向偏压为－７～－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到......
[会议论文] 作者：马剑平,陈治明,余明斌,罗家骏,雷天民,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
用电化学阳极氧化法在淀积于Ｓｉ（１００）衬底上的纳米碳化硅薄膜中制成局部的多孔碳化硅样品。在对这种多孔碳化硅薄膜样品进行的光致发光实验中观察到较强的室温可见光荧光及其在紫外光辐射下强度进一步升高并伴随有光谱展宽和峰值能量升高的反常现象。......
[会议论文] 作者：余明斌,马剑平,罗家骏,雷天民,陈治明,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
用热丝化学汽相淀积法（ＨＦＣＶＤ）在衬底温度为６００°Ｃ时制备具有纳米晶体结构的碳化硅薄膜。用ＸＰＳ、ＸＲＤ、拉曼撒射和ＨＲＴＥＭ等手段分析证明了薄膜样品的纳米晶体结构特征，光荧光测试表明这种材料在室温下具有较强的可见光发射，其光荧光谱的主峰能量接近２．２ｅＶ。......
[期刊论文] 作者：王佳垚,岳文成,刘雨菲,李欣雨,涂芝娟,余明斌,
来源：光电子技术 年份：2021
硅基光电子集成回路在高速相干光传输系统中具有巨大的应用潜力。作为相干光通信领域重要的光学相干解调器件,硅基光混频器对实现良好的相干检测具有重要的意义。文中从光混频器的原理出发,介绍了基于不同结构的硅基90°光混频器的研究进展。其中,平面光波导型9......
[期刊论文] 作者：雷天民,陈治明,马剑平,余明斌,胡宝宏,王建农,
来源：西安电子科技大学学报 年份：1999
采用热丝化学气相淀积生长法，在Ｓｉ衬底上外延生长３Ｃ－ＳｉＣ薄层获得成功，生成源为ＣＨ４＋ＳｉＨ４＋Ｈ２混合气体，热丝温度约为１８００－２０００℃，碳化和生长时底温度低于１０００℃，用Ｘ射线衍射，变角椭偏法等分析手段研究了外延层的晶体结构......
[期刊论文] 作者：赵添莉,余明斌,周高东,姜明莲,李开明,左自成,邱媛,
来源：中国中医药科技 年份：2015
1临床资料2010年1月-2013年12月在本院妇产科门诊就诊的盆腔炎性疾病（PID）患者,共30例,其中子宫内膜炎21例,输卵管炎3例,输卵管卵巢脓肿（TOA）2例,盆腔腹膜炎4例;年龄18~35岁,平均...
[期刊论文] 作者：雷天民,陈治明,余明斌,马剑平,胡宝宏,王建农,
来源：半导体学报 年份：2000
采用 HFCVD技术 ,通过两步 CVD生长法 ,以较低生长温度 ,在 Si( 1 1 1 )和 Si( 1 0 0 )衬底上同时外延生长 3C- Si C获得成功 .生长源气为 CH4 + Si H4 + H2 混合气体 ,热丝...
[期刊论文] 作者：雷天民,胡宝宏,王建农,陈治明,余明斌,马剑平,
来源：西安理工大学学报 年份：1998
采用ＨＦＣＶＤ生长法，以较低生长温度，在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。ＸＲＤ显示薄层具有明显的择优取向特征。ＶＡＳＥ测量出薄层的折射率为２．６８６，光......
[期刊论文] 作者：何宇亮,林鸿溢,武旭辉,余明斌,于晓梅,王珩,李冲,
来源：材料研究学报 年份：1996
使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术检测了纳米Ｓｉ薄膜的微结构，纳米Ｓｉ薄膜由大量的细微Ｓｉ晶粒以及大量的晶粒间界面区组成，这一特殊的结构造成纳米Ｓｉ薄膜具有较大的压阻效应及较高氢含量，本文分析讨论了薄膜微结......
[期刊论文] 作者：王书晓,刘雨菲,孙嘉良,宋若谷,岳文成,余明斌,蔡艳,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2021
基于硅通孔(Through silicon via,TSV)技术的硅光转接板是实现2.5D/3D光电混合集成方案之一,TSV和再分布层(Redistribution layer,RDL)是集成系统中信号传输的关键组件.对基于硅光转接板的光电混合集成技术进行了介绍,研究了接地TSV排布对基于SOI衬底的TSV_RDL......
[期刊论文] 作者：何宇亮,余明斌,吕燕伍,戎霭伦,刘剑,徐士杰,罗克俭,奚中和,
来源：自然科学进展 年份：2004
从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3～6 nm)具有量子点(Q.D)特征。在其电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减而增大的小尺寸效应。使用薄层(～20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极...
[期刊论文] 作者：何宇亮,余明斌,万明芳,李雪梅,徐士杰,刘湘娜,于晓梅,郑厚,
来源：自然科学进展：国家重点实验室通讯 年份：1995
自从多孔硅的光致发光被报道以来,引起人们的极大关注,这方面的研究得到很大的发展。关于其发光机理,文献[2～4]分别作了解释,目前还存在一定分歧,但人们已经普遍认为量子...
[期刊论文] 作者：项国洪,贾思琪,李德鹏,马精瑞,刘湃,王恺,郭海成,余明斌,孙小卫,
来源：中国激光 年份：2021
提出并设计了一种基于无机硒化镉(CdSe)量子点(QD)材料作为增益介质的垂直腔面发射激光器(VCSEL)。该方案结合量子点发光二极管(QLEDs)与分布式反馈布拉格反射镜(DBR)形成电注入量子点垂直腔面发射激光器,并在其垂直衬底方向上结合了电流注入结构及光学微腔结构......
[期刊论文] 作者：何宇亮,余明斌,万明芳,李雪梅,徐士杰,刘湘娜,于晓梅,郑厚植,罗晋生,魏希文,戎霭伦,
来源：自然科学进展 年份：1995
自从多孔硅的光致发光被报道以来,引起人们的极大关注,这方面的研究得到很大的发展。关于其发光机理,文献[2～4]分别作了解释,目前还存在一定分歧,但人们已经普遍认为量子限制...
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