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[期刊论文] 作者：白永彪,赵有文,沈桂英,陈晓玉,刘京明,谢晖,董志远,杨俊,杨凤云,王凤华,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
Te-doped GaSb single crystals are studied by measuring Hall effect, infrared(IR) transmission and photoluminescence(PL) spectra. It is found that the n-type GaS...
[期刊论文] 作者：陈维怡,王玥珠,苏怡,沈恋迪,蔡徐山,张丽峰,杨凤云,喇雪娜,陈安,程路,蒋泓,
来源：中国妇幼健康研究 年份：2022
目的 描述孕前女性牙周病与口腔唾液菌群的关联，探索患有牙周病的孕前妇女口腔唾液特征菌群。方法 基于复旦大学公共卫生学院孕前队列，选取2016-2019年在上海市嘉定区妇幼保健院孕前体检夫妇中患有牙周病并计划备孕的妇女58例，以及60例牙周健康者作为研究对象，采用1......
[期刊论文] 作者：施红伶,李豫,张婷娟,杨蕾,刘白晶,杨凤云,赵玉云,陈科容,毕丽蓉,李晓宇,王家谱,
来源：昆明医科大学学报 年份：2021
目的探究在言语治疗学教学课程中开展以团队为基础的教学模式(team-based learning,TBL)与工作坊教学模式(Workshop)的应用效果。方法选取大理大学2017届康复治疗学同一班级60名学生为客观分析对象。开展常规式教学、TBL教学及Workshop教学3种方法分为3组,每组......
[期刊论文] 作者：赵有文,段满龙,卢伟,杨俊,董志远,刘刚,高永亮,杨凤云,王风华,王俊,刘京明,谢辉,王应利,卢超,,
来源：人工晶体学报 年份：2017
采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm~(-2)。对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍...
[期刊论文] 作者：杨俊,段满龙,卢伟,刘刚,高永亮,董志远,王俊,杨凤云,王凤华,刘京明,谢辉,王应利,卢超,赵有文,,
来源：人工晶体学报 年份：2017
采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备。通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg,成晶率可达80%...
[会议论文] 作者：Youwen Zhao,Jun Yang,Gang Liu,Fenghua Wang,Yang Fengyun,Wei Lu,Zhiyuan Dong,Jun Wang,段满龙,赵有文,杨俊,刘刚,王凤华,杨凤云,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
GaSb材料在制作长波长光纤通信器件、红外探测器和热光伏器件方面表现出了极大的潜力和良好的发展前景。本文报道了大直径(最大直径5英寸)GaSb单晶液封直拉法(LEc)生长结...
[期刊论文] 作者：李星颖,陈维怡,金龙妹,张晓华,杨凤云,沈恋迪,张欣文,喇雪娜,娜扎凯提·阿不都克里木,谢震宇,朱小玲,王丽,蒋泓,
来源：复旦学报:医学版 年份：2021
目的了解新冠肺炎疫情下,孕妇通过官方新媒体途径获取孕产保健信息及新冠相关的孕产保健知识与个人防护行为的关系,为完善我国突发公共卫生事件下的孕产保健服务应急预案提供依据。方法于2020年2月5日至3月1日我国新冠疫情暴发高峰期间,采用横断面在线调查方法,......
[会议论文] 作者：Manlong Duan,段满龙,赵有文,Youwen Zhao,Jun Yang,杨俊,Gang Liu,刘刚,Fenghua Wang,王凤华,Yang Fengyun,杨凤云,Wei Lu,卢伟,,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
GaSb材料在制作长波长光纤通信器件、红外探测器和热光伏器件方面表现出了极大的潜力和良好的发展前景。本文报道了大直径(最大直径5英寸)GaSb单晶液封直拉法(LEc)生长结果，所生长的单晶材料具有低位错密度(位错腐蚀坑密度低于3000cm-2)和优良的电学性能，获得了良......
[会议论文] 作者：赵有文,Youwen Zhao,Manlong Duan,段满龙,Zhiyuan Dong,董志远,Jun Yang,杨俊,Jun Wang,王俊,Liu Gang,刘刚,Fengyun Yang,杨凤云,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
随着新型光电子、红外探测器、毫米波器件等制造技术的快速发展,对标准尺寸的高质量InP,GaSb和InAs单晶衬底的市场需求不断增加。本文介绍了采用液封直拉法批量生长直径2-4英寸的InP、GaSb和InAs单晶以及单晶衬底制备技术的一些最新进展。通过热场优化、控制化......
[会议论文] 作者：]ManlongDuan[2]段满龙[1]ZhiyuanDong[2]董志远[1]JunYang[2]杨俊[1]JunWang[2]王俊[1]LiuGang[2]刘刚[1]FengyunYang[2]杨凤云,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
随着新型光电子、红外探测器、毫米波器件等制造技术的快速发展,对标准尺寸的高质量InP,GaSb和InAs单晶衬底的市场需求不断增加。本文介绍了采用液封直拉法批量生长直径2...
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