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[期刊论文] 作者：赵有文,罗以琳,等,
来源：半导体学报 年份：2002
利用变温霍尔和电流-电压特性（I-V）两种方法分别对半导体和半绝缘的退火非掺磷化铟材料进行了测量，在非掺退火后的半导体磷化铟样品中可以测到缺陷带电导，这与自由电子浓度较低、......
[期刊论文] 作者：赵有文,孙聂枫,等,
来源：半导体学报 年份：2002
用辉光放电质谱（GDMS）测量了原生液封直接（LEC）磷化铟（InP）的杂质含量。利用霍尔效应测到的非掺LEC－InP的自由电子浓度明显高于净施主杂质的浓度。在非掺和掺铁InP中都可以用红外吸......
[期刊论文] 作者：赵有文,罗以琳,等,
来源：半导体学报 年份：2002
利用霍尔效应，电流－电压（I－V），光致发光谱（PL）和光电流谱（PC）研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质，半绝缘InP的I－V特性明显地依赖于掺铁的浓度，掺铁的浓度也对半绝缘InP的光学性质和材料......
[期刊论文] 作者：赵有文,孙聂枫,等,
来源：半导体学报 年份：2002
对液封直拉（LEC）非掺磷化铟（InP）进行930℃80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘（SI）衬底。退火是在密封的石英管内纯磷（PP）或磷化铁（IP）两种气氛下进行的。测试结果表明IP-SI In......
[期刊论文] 作者：吕小红,赵有文,孙文荣,
来源：半导体学报 年份：2004
通过X线衍射分析和位错腐蚀,发现在GaSb(100)晶片的中心区域容易形成呈枝蔓状分布的高密度位错聚集区,这些位错引起严重的晶格畸变.通过分析晶体生长条件,证明生长过程中产生...
[期刊论文] 作者：孙聂枫,赵有文,孙同年,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
综述了近年来关于InP中深能级缺陷和杂质的研究工作。讨论了深能级杂质及缺陷对InP材料性能的重要影响;介绍了深能级瞬态谱(DLTS)、光致发光谱(PL)、热激电流谱(TSC)、正电子...
[期刊论文] 作者：孙聂枫,赵有文,孙同年,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
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[期刊论文] 作者：吕小红,赵有文,孙文荣,董志远,
来源：半导体学报 年份：2007
通过X线衍射分析和位错腐蚀,发现在GaSb(100)晶片的中心区域容易形成呈枝蔓状分布的高密度位错聚集区,这些位错引起严重的晶格畸变.通过分析晶体生长条件,证明生长过程中产生...
[期刊论文] 作者：邵云东,王柱,赵有文,唐方圆,
来源：武汉大学学报：理学版 年份：2006
用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品．揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷，具有284ps左右的寿命值．电子辐照能使这种缺陷的浓度增大，使平......
[会议论文] 作者：谢辉,赵有文,董志远,杨俊,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
本文初步研究了V族离子(P,As,Sb)注入ZnO单晶的性质。为了得到均匀的掺杂层,我们首先使用SRIM软件进行了模拟计算,确定了注入的能量和剂量,以便实现方形离子注入层。对注入的...
[会议论文] 作者：谢辉,赵有文,董志远,杨俊,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
我们采用离子注入的方法对ZnO体单晶进行掺杂。本文初步研究了V族离子(P,As,Sb)注入ZnO的性质。为了得到均匀的掺杂层。我们使用SRIM软件进行模拟,对晶体进行多种能量和剂量...
[期刊论文] 作者：赵有文,董志远,魏学成,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2007
借助传输剂的作用,化学气相传输法(CVT)ZnO单晶生长过程具有足够高的组分过饱和蒸气压,因而具有很强的生长驱动力.控制单晶的成核和生长模式成为获得大尺寸ZnO单晶的关键.对...
[期刊论文] 作者：董志远,赵有文,魏学成,李晋闽,,
来源：半导体学报 年份：2007
利用物理气相传输法生长了直径40～50mm、厚约8～10mm的AlN多晶锭，最大晶粒尺寸为5mm,用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性．分析了不同温度下AlN晶体的...
[期刊论文] 作者：魏学成,赵有文,董志远,李晋闽,,
来源：半导体学报 年份：2006
利用X射线衍射技术、荧光光谱、霍尔效应和光学显微等方法分别研究了ZnO单晶的晶格完整性、深能级缺陷、电学性质、位错和生长极性．通过比较ZnO单晶材料在退火前后的测试结果，......
[期刊论文] 作者：于会永,赵有文,占荣,高永亮,
来源：半导体学报 年份：2008
研究了垂直梯度凝固法（VGF法）生长的掺Si低阻GaAs单晶材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉...
[期刊论文] 作者：魏学成,赵有文,董志远,李晋闽,,
来源：半导体学报 年份：2007
研究了化学气相传输法（CVT）生长ZnO单晶的传输过程、动力学和生长机理，分析了CVT法的传输机理、效率以及温场对传输速率和晶体生长的影响，利用气相-固相单晶成核和生长动力学理论......
[期刊论文] 作者：周立,陈涌海,王占国,赵有文,,
来源：光散射学报 年份：2008
运用X射线衍射仪和拉曼光谱仪，测量了物理气相输运（PVT）方法生长的AlN多晶材料的X射线衍射和常温拉曼光谱。常温拉曼光谱研究了晶界、晶面方向与拉曼频率的关系，观察到了E和E峰位......
[期刊论文] 作者：周立,陈涌海,王占国,赵有文,
来源：光散射学报 年份：2004
运用X射线衍射仪和拉曼光谱仪,测量了物理气相输运(PVT)方法生长的AlN多晶材料的X射线衍射和常温拉曼光谱.常温拉曼光谱研究了晶界、晶面方向与拉曼频率的关系,观察到了E和E...
[会议论文] 作者：董志远;赵有文;杨俊;胡炜杰;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
我们用钨丝网加热物理气相传输法(PVT)制备了直径45-50毫米的氮化铝(AlN)晶体。通过湿法腐蚀,X-射线双晶衍射(XRD),电子能量色散X-射线荧光光谱(EDX)和红外吸收谱对大尺寸AlN...
[会议论文] 作者：赵有文,孙文荣,段满龙,董志远,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文研究了液封直拉法生长的GaSb和InAs单晶的一些晶格缺陷.在GaSb和InAs(100)晶片的局部区域容易形成高密度位错聚集区,引起严重的晶格畸变.实验结果表明化学配比偏离(特别...
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