物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：luyunlongal1127

【摘要】

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利用物理气相传输法生长了直径40～50mm、厚约8～10mm的AlN多晶锭，最大晶粒尺寸为5mm,用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性．分析了不同温度下AlN晶体的

【作者】

：

董志远赵有文魏学成李晋闽

【机构】

：

中国科学院半导体研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年2期

【关键词】

：

AlN 物理气相传输法缺陷

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利用物理气相传输法生长了直径40～50mm、厚约8～10mm的AlN多晶锭，最大晶粒尺寸为5mm,用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性．分析了不同温度下AlN晶体的导电特性，并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为0．98eV的深能级缺陷．结合这些结果分析了PVT法生长条件对AlN体单晶生长和晶体质量的影响．

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