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[期刊论文] 作者：柏松,陈刚,李哲洋,张涛,汪浩,蒋幼泉,
来源：半导体学报 年份：2007
分别在导通和半绝缘4H-SiC衬底上外延生长了MESFET结构并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25～30mS/mm,击穿电压大于120V.导...
[期刊论文] 作者：陈刚,柏松,张涛,汪浩,李哲洋,蒋幼泉,
来源：半导体学报 年份：2007
介绍了制作4H-SiC MESFET器件的关键工艺.通过改进工艺,采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片,制造出总栅宽为1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET...
[会议论文] 作者：冯忠,王雯,陈刚,李哲洋,柏松,蒋幼泉,
来源：全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议 年份：2008
本文详细描述了4H-SiC功率MESFET台面光刻技术,利用光刻胶阻挡离子束台面刻蚀,其工艺简单,重复性好,获得良好的4H-SiC刻蚀表面,有利于器件的性能提高.SiC的台面刻蚀需要较长...
[会议论文] 作者：李哲洋,董逊,柏松,陈刚,陈堂胜,陈辰,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长...
[会议论文] 作者：陈刚,柏松,张涛,汪浩,李哲洋,蒋幼泉,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文介绍制作4H-SiC MESFET器件中的总栅宽1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET管....
[期刊论文] 作者：李哲洋,刘六亭,董逊,张岚,许晓军,柏松,
来源：电子工业专用设备 年份：2005
从实验出发,用LPCVD外延系统在偏向方向8°的4H-SiC(0001)Si面衬底上,利用CVD技术进行了4H-SiC同质外延生长.外延后在熔融KOH腐蚀液中进行腐蚀,使用SEM和光学显微...
[期刊论文] 作者：汪浩,柏松,陈刚,李哲洋,刘六亭,陈雪兰,邵凯,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
采用本实验室生长的4H-SiC外延片,分别用高真空电子束蒸Ni和Ti做肖特基接触金属,Ni合金作欧姆接触,SiO2绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术,制作出4H-SiC肖特基势垒二极管...
[期刊论文] 作者：李宇柱,倪炜江,李哲洋,李赟,陈辰,陈效建,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基（SBD）二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司...
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赟,陈辰,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基（JBS）二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A（正向压降2.1V）。通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工作温......
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赞,陈辰,陈效建,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
碳化硅（4H-SiC）材料具有宽带隙、高饱和电子漂移速率和高热导率等优良特性，因此SiC电力电子器件在高功率、大电流、高频率、耐高温和抗辐射等方面相对于Si器件性能要优胜得多，被......
[期刊论文] 作者：陈刚,王雯,柏松,李哲洋,吴鹏,李宇柱,倪炜江,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT（静电感应晶体管）。该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工...
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赟,陈辰,陈效建,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1 200 V,封装的器件电流室温达到5 A(正向压降2.1 V).通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性...
[会议论文] 作者：陈刚;柏松;张涛;汪浩;李哲洋;陈雪兰;蒋幼泉;,
来源：2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2006
本论文介绍了S波段4H-SiC MESFET功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用半绝缘衬底的自主研制的SiC三层外延片,成功制作出单胞1mm栅宽的芯片.经过装架、压丝,未作内匹配...
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赟,陈辰,陈效建,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工...
[期刊论文] 作者：彭大青,李忠辉,李亮,孙永强,李哲洋,董逊,张东国,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
使用氮化物MOCVD外延生长系统,采用传统的两步生长法在76.2 mm c面蓝宝石衬底上生长了不同压力的GaN薄膜样品。研究发现提高高温GaN的生长压力,初期的三维生长时间增长,有利...
[期刊论文] 作者：柏松,陈刚,张涛,李哲洋,汪浩,蒋幼泉,韩春林,陈辰,
来源：半导体学报 年份：2007
利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC微波功率器件的研究．通过对欧姆接触和干法刻槽工艺的优化，研制出高性能的SiCMESFET．利用1mm栅宽SiC MESFET制成的微波功率放大器在2...
[期刊论文] 作者：柏松,陈刚,冯忠,钱峰,陈征,吴鹏,任春江,李哲洋,郑惟彬,,
来源：半导体技术 年份：2008
利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研...
[期刊论文] 作者：柏松,陈刚,张涛,李哲洋,汪浩,蒋幼泉,韩春林,陈辰,,
来源：半导体学报 年份：2007
利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC微波功率器件的研究.通过对欧姆接触和干法刻槽工艺的优化,研制出高性能的SiCMESFET.利用1mm栅宽SiCMESFET制成的微波功率放大器...
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赟,管邦虎,陈征,柏松,陈辰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
用沟槽和离子注入方法在自主外延的4H导通型碳化硅晶圆上研制了垂直沟道结型场效应晶体管（VJFET）。在栅电压VG=-10 V时阻断电压达到1 200 V;在VG=2.5 V,VD=2V时的电流密度为395...
[期刊论文] 作者：柏松,吴鹏,陈刚,冯忠,李哲洋,林川,蒋幼泉,陈辰,邵凯,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
现代雷达和通讯系统要求不断地提高微波功率器件的功率、效率以及带宽。SiC MESFET具有高功率密度、高工作电压等优势，成为目前国际上重点研究的微波功率器件之一。SiC MESFET...
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