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[期刊论文] 作者：徐现刚,刘喆,等,
来源：半导体学报 年份：2002
采用金属有机化学气相沉积生长了InP/GaAs0.5Sb0.5/InP双异质结晶体三极管（DHBT）材料，研究了材料质量对器件性能的影响，制备的器件不但具有非常好的直流特性，其结果与能带理论的预......
[期刊论文] 作者：马瑾,徐现刚,等,
来源：半导体学报 年份：2002
采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出SnO2:Sb透明导电膜，并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究。制备的样品为多晶薄膜，并且保持了纯二氧化......
[期刊论文] 作者：白玉俊,徐现刚,等,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2002
通过差示扫描量热技术，研究了热循环对Cu-23.6Zn-4.47Al-0.23Mn-0.17Ni形状记忆合金中双可逆相变的影响，结果表明，X→M转变温度随热循环的进行而降低，而马氏体逆转变的温度几乎不...
[期刊论文] 作者：徐现刚,胡小波,
来源：国际学术动态 年份：2002
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[期刊论文] 作者：王翎,刘铎,徐现刚,
来源：信息技术与信息化 年份：2014
介绍了LED及纳米技术，展望LED产业技术的发展趋势和应用领域，并介绍了山东大学在研究新型金属介质结构，大幅提高LED发光效率方面的最新突破。...
[会议论文] 作者：李明,徐现刚,张永宾,
来源：第二十二届全国激光学术会议 年份：2016
从工程应用角度论述了安防夜视监控领域激光主动照明技术现状及未来发展趋势，讨论了激光照明安全问题。指出安防LED照明技术受制于其发光效率等物理极限，未来将被激光照明技术取代。......
[期刊论文] 作者：王翎,徐明升,徐现刚,,
来源：半导体技术 年份：2014
研究了n型碳化硅(SiC)极性表面、载流子浓度和退火温度对欧姆接触的影响,测试了不同样品的电流-电压曲线,并通过传输线方法计算比接触电阻。对于SiC衬底的硅面,GeNiTiAu合金...
[期刊论文] 作者：宋生, 胡小波, 徐现刚,,
来源：人工晶体学报 年份：2012
使用升华法生长碳化硅(SiC)单晶,借助数值模拟方法优化温场,在不同条件下分别获得单一晶型的4H-SiC和6H-SiC单晶,利用拉曼光谱进行表征。采用V掺杂的方法,制备半绝缘SiC单晶,...
[期刊论文] 作者：徐现刚,刘喆,崔得良,
来源：半导体学报 年份：2002
采用金属有机化学气相沉积生长了 In P/ Ga As0 .5Sb0 .5/ In P双异质结晶体三极管 (DHBT)材料 ,研究了材料质量对器件性能的影响 .制备的器件不但具有非常好的直流特性 ,而...
[期刊论文] 作者：白玉俊,徐现刚,耿贵立,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2004
通过差示扫描量热技术,研究了热循环对Cu-23.6Zn-4.47Al-0.23Mn-0.17Ni形状记忆合金中双可逆相变的影响.结果表明,X→M转变温度随热循环的进行而降低,而马氏体逆转变的温度几...
[期刊论文] 作者：于果蕾,杨扬,徐现刚,,
来源：中国激光 年份：2015
采用高折射率的SiC晶体材料,作为布氏片的选频器件,实现了单纵模绿光激光器的稳定工作,输出功率达120 mW。通过理论分析和实验证明,相较于现有的采用K9玻璃,采用高折射率的Si...
[期刊论文] 作者：白玉俊,徐现刚,耿贵立,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2002
通过差示扫描量热技术 ,研究了热循环对 Cu- 2 3.6 Zn- 4 .4 7Al- 0 .2 3Mn- 0 .17Ni形状记忆合金中双可逆相变的影响。结果表明 ,X→ M转变温度随热循环的进行而降低 ,而马...
[期刊论文] 作者：于果蕾,杨扬,徐现刚,
来源：中国激光 年份：2015
采用高折射率的SiC 晶体材料，作为布氏片的选频器件，实现了单纵模绿光激光器的稳定工作，输出功率达120 mW。通过理论分析和实验证明，相较于现有的采用K9 玻璃，采用高折射率的SiC 晶体作为选频器件，使整个光学系统更容易调节，且器件工作更加稳定，更易实现商品化。......
[期刊论文] 作者：于果蕾,胡小波,徐现刚,,
来源：人工晶体学报 年份：2015
研究了采用光纤微透镜作为半导体激光器光斑快轴压缩透镜的方法。通过在光纤的两个对称侧弧面镀制增透膜,减少了光纤微透镜对光的反射,其反射率由原来的4%降低到0.3%以下,有...
[期刊论文] 作者：刘鑫彤, 胡小波, 徐现刚,,
来源：光学学报 年份：2016
以谷胱甘肽(GSH)为硫源,氯化锌(ZnCl2)为锌源,溴化十六烷基三甲铵(CTAB)为表面活性剂,乙二胺为反应媒介,采用水热法在较低温度(160℃)下成功地合成六方相纤锌矿硫化锌(ZnS)纳...
[期刊论文] 作者：徐明升,胡小波,徐现刚,
来源：人工晶体学报 年份：2014
研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响。采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外延层的缺陷密度和剩余应力。GaN薄膜的高分...
[期刊论文] 作者：崔潆心, 胡小波, 徐现刚,,
来源：无机材料学报 年份：2018
晶体的生长原生面在一定程度上能反应出晶体生长机制和晶体缺陷分布的丰富信息。采用激光共聚焦显微镜偏光拼接技术和原子力显微镜对物理气相传输法生长的4H、6H-SiC单晶原生...
[会议论文] 作者：崔潆心, 徐现刚, 胡小波,,
来源： 年份：2004
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[期刊论文] 作者：徐现刚,崔得良,郝霄鹏,
来源：中国科学A辑 年份：2004
采用液态的叔丁基砷(tertiarybularsine,TBAs)和叔丁基磷(tertiarybulphosp hine,TBP )为源材料,用有机金属气相外延(metalorganic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长了与InP衬...
Electron tunneling effects on radiative recombination in modulation n-doped ZnSe/BeTe type-II quantu
[期刊论文] 作者：冀子武,郑雨军,徐现刚,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
We have studied the cyclotron-resonance absorption and photoluminescence properties of the modulation n-doped ZnSe/BeTe/ZnSe type-II quantum wells.It is shown t...
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