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[会议论文] 作者：李宁瑾,
来源：《中国给水排水》第七届年会暨2010年水处理新技术新工艺及给(污)水厂运行管理高级研讨会 年份：2010
本文简述了镀件逆流清洗方法的分类与在节能减排、污染防治中的重要地位。推导出了断续补水逆流清洗与间歇倒槽换水逆流清洗各级浓度的理论公式，并对规范中的近似公式进行了评......
[期刊论文] 作者：李宁瑾,,
来源：制冷与空调 年份：2015
《制冷与空调》2015年第8期第33页公式(25)中的B=ξb/(1+ξ(b+ce));E=ξe/(1+ξ(b+ce))更正为B=b/(1+ξ(b+ce));E=e/(1+ξ(b+ce))B = ξb / (1 + ξ (b + ce)); E = ξe /...
[学位论文] 作者：宁瑾涛,
来源：大连海事大学 年份：2020
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[期刊论文] 作者：谭小春,宁瑾,
来源：当代体育科技 年份：2020
黔东南少数民族传统体育文化与乡村旅游的融合,不仅能使民族体育文化在乡村旅游中得以传承,还能让乡村旅游彰显出丰富的文化内涵,对于新形势下黔东南传统村落的保护和民族体...
[期刊论文] 作者：阿宁,瑾轩,,
来源：人才资源开发 年份：2015
一邢丽在质监局上班,来市政府大楼取文件时碰到了市长焦远,他让邢丽下周一下午去他的办公室。焦远是邢丽的表哥,但是已经好些年不来往了。心结是焦远当市人事局长时,她求...
[期刊论文] 作者：李宁瑾,曹长,,
来源：制冷与空调 年份：2015
5横流闭式冷却塔冷却能力的主要影响因素分析5.1分格数的影响分格数对计算精度有很大的影响,大分格到多少为合适？下面通过算例1分析。算例1：按文献[2-3]中算例1所计算逆流闭式...
[期刊论文] 作者：李宁瑾, 曹长,,
来源：制冷与空调 年份：2015
提出横流闭式冷却塔的基本微分方程及其差分解法与分段积分解法,并通过设计计算实例对影响横流闭式冷却塔冷却能力的诸因素进行分析,对横流闭式冷却塔与逆流闭式冷却塔进行比...
[期刊论文] 作者：李宁瑾,曹长,,
来源：制冷与空调 年份：2014
提出不忽略蒸发水量热焓的逆流闭式塔与顺流闭式塔的微分方程组,对解析解法进行改进,导出沿程水温与空气焓值分布的计算公式;根据IFC公式建立湿空气状态参数方程,以及塔内水...
[期刊论文] 作者：李宁瑾,曹长,,
来源：制冷与空调 年份：2014
6算例6.1算例1以文献[1]P202的例3.6为例。试设计一台将质量流量为100 000 kg/h的88℃硫酸铜水溶液（因浓度很低,其物性按与水相同考虑）冷却至50℃的逆流闭式冷却塔,空气的入口...
[期刊论文] 作者：李宁瑾,曹长,,
来源：制冷与空调 年份：2015
提出横流开式冷却塔基本微分方程的分段积分数值解法与简化数解法,并与其他求解方法进行比较。结果表明：简化数解法具有较好的精度与较快的计算速度,是一种较好的实用近似计算......
[期刊论文] 作者：李宁瑾,曹长,,
来源：制冷与空调 年份：2015
4 几种计算方法的比较针对大型横流塔，彭昕对差分法、解析法、手塚俊-公式、平均焓差法和横流修正系数法等几种计算方法进行了比较，以差分法取微元边长0．01m（相应M=1100，N=550，MxN=......
[期刊论文] 作者：宁瑾,刘忠立,
来源：半导体学报 年份：2003
针对所研制的电容式微传声器在理想模式下的工作原理，建立了有限元分析模型和声-电模塑，从理论上分析了器件的机械性能、灵敏度以及频响特性，得出了结构优化的设计原则，即要想得......
[期刊论文] 作者：李宁瑾,邱福海,
来源：材料保护 年份：2012
2问歇换水逆流清洗各级浓度分析2．1理论公式的推导设有间歇换水5级逆流清洗系统，当第5级镀液浓度达到某一限定值时，便将第1级的清洗水送去回收，将第2级的清洗水倒换到第1级，将第3......
[期刊论文] 作者：李宁瑾,邱福海,
来源：材料保护 年份：2011
为了更好地推广镀件逆流清洗工艺，推导了断续补水逆流清洗与间歇倒槽换水逆流清洗各级浓度的理论计算公式，并对GBJ136—90“电镀废水治理设计规范”中的近似公式进行了评述，结合......
[期刊论文] 作者：尹青山,郑宁瑾,
来源：中华放射学杂志 年份：1989
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[期刊论文] 作者：李宁瑾,朱社勋,
来源：轴承工厂设计 年份：2000
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[期刊论文] 作者：岳文良,宁瑾志,
来源：中国修船 年份：1998
船舶辅机作为船舶电站的动力源，若有效负荷下降，排烟温度升高，则直接影响船舶的安全航行，对于老旧船舶的辅机，可以通过改造增压器来解决这一问题，文中以“和昌”轮为实例具体介绍了......
[期刊论文] 作者：岳文良,宁瑾志,
来源：北方交通 年份：1998
本文叙述了船舶老旧付机经过修理后功率达不到要求，通过改造增压器进一步提高功率的可行性。...
[期刊论文] 作者：宁瑾,张杨,刘忠立,
来源：半导体学报 年份：2007
在半绝缘4H-SiC衬底上成功制备出MESFET器件,并完成直流特性测试和交流小信号特性测试工作.共制备出3种结构尺寸的MESFET器件,其栅长栅宽分别为0.5μm/80μm,0.7μm/80μm和2...
[期刊论文] 作者：宁瑾,刘忠立,高见头,
来源：半导体学报 年份：2005
在n型4H-SiC外延层上,采用H2,O2合成的办法,热生长30nm的SiO2层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO2与4H-SiC外延层的界面特性,并计...
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