n型4H-SiC MOS电容的特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lxm1230520

【摘要】

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在n型4H-SiC外延层上,采用H2,O2合成的办法,热生长30nm的SiO2层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO2与4H-SiC外延层的界面特性,并计

【作者】

：

宁瑾刘忠立高见头

【机构】

：

中国科学院半导体研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年z1期

【关键词】

：

4H-SIC MOS电容 C-V特性热生长SiO2

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在n型4H-SiC外延层上,采用H2,O2合成的办法,热生长30nm的SiO2层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO2与4H-SiC外延层的界面特性,并计算出n型4H-SiC外延层的掺杂浓度.结果表明H2,O2合成热生长的SiO2与4H-SiC外延层之间具有较好的界面特性,界面态密度较小.n型4H-SiC外延层的掺杂均匀,浓度为1.84×1017cm-3.

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