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[期刊论文] 作者:孙国胜,刘兴昉,王雷,赵万顺,杨挺,吴海雷,闫果果,赵永梅,宁瑾,曾一平,李晋闽,, 来源:Chinese Physics B 年份:2010
Epitaxial growth of semiconductor films in multiple-wafer mode is under vigorous development in order to improve yield output to meet the industry increasing de...
[期刊论文] 作者:许红亮,冯勇,徐政,闫果,李成山,卢亚锋,E.MOSSANG,A.SULPICE,张平祥,周廉,XUHONG-LIANG,FENGYONG,XUZHENG,YANGUO,LICHENG-SHAN,LUYA-FENG, 来源:黑龙江科技信息 年份:2005
本文通过对荣华二采区10...
[期刊论文] 作者:刘兴昉,孙国胜,刘斌,闫果果,关敏,张杨,张峰,董林,郑柳,刘胜北,田丽欣,王雷,赵万顺,曾一平,, 来源:Chinese Physics B 年份:2013
We investigate the formations of wurtzite (WZ) SiC nano polytypes in zinc blende (ZB) SiC nanofilms hetero-grown on Si-(100) substrates via low pressure chemica...
[期刊论文] 作者:刘兴昉,闫果果,桑玲,郑柳,钮应喜,王嘉铭,张峰,杨霏,杨香,樊中朝,孙国胜,曾一平,温家良,何志,, 来源:智能电网 年份:2017
基于碳化硅半导体的高压电力电子器件如MOSFET、IGBT等有望用于智能电网系统中。这些器件的基本结构包含PN结及其变体,其特点是包括N-漂移层、P阱区及位于其中的N+和P+并列阱...
[期刊论文] 作者:唐先德,李春广,武玉,李昆,闫果,杨明,周廉,张平祥,冯勇,卢亚锋,翁佩德,TANGXIAN-DE,LICHUN-GUANG,WUYU,LIKUN,YANGUO,YANGMING,LUYA-FENG,ZHOULIAN, 来源:黑龙江科技信息 年份:2005
本文通过对荣华二采区10...
[会议论文] 作者:李建峰,刘建伟,刘维涛,张科,严凌霄,高慧贤,侯婧,管军强,贾晶晶,杜社军,闫果,刘向宏,冯勇,张平祥,刘生, 来源:第十三届全国超导学术研讨会 年份:2015
"国际热核聚变实验堆(ITER)计划"是目前全球规模最大、影响最深远的国际合作项目之一.ITER装置是一个能产生大规模核聚变反应的超导托克马克,俗称"人造太阳".ITER装置中最核心的超导磁体系统包括6个极向场线圈(PF)、18个纵向场线圈(TE)、6个中心螺管线圈(CS)和18......
[会议论文] 作者:张峰,孙国胜,郑柳,刘胜北,刘斌,董林,赵万顺,王雷,闫果果,刘兴昉,曾一平,Feng Zhang,Guosheng Sun,Liu Zheng,Shengbei Liu,Bin Liu,Lin Dong, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
  本文主要研究退火对原子层沉积Al2O3薄膜表面和Al2O3/4H-SiC界面的影响。生长Al2O3薄膜的前驱体为三甲基铝(TMA)与水(H2O),生长速率为1.26(A)/cycle。薄膜最终厚度为10 nm...
[会议论文] 作者:Sun,孙国胜,Liu Zheng,郑柳,Shengbei Liu,刘胜北,Bin Liu,刘斌,Lin Dong,董林,Wanshun Zhao,赵万顺,Lei Wang,王雷,Guoguo Yan,闫果果, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
本文主要研究退火对原子层沉积Al2O3薄膜表面和Al2O3/4H-SiC界面的影响。生长Al2O3薄膜的前驱体为三甲基铝(TMA)与水(H2O),生长速率为1.26(A)/cycle。薄膜最终厚度为10 nm。然后将Al2O3薄膜在氮气中1000℃下退火1min。检测结果显示,退火后Al2O3薄膜粗糙度增加。同......
[会议论文] 作者:李建峰[1]刘建伟[1]刘维涛[1]张科[1]严凌霄[1]高慧贤[1]侯婧[1]管军强[1]贾晶晶[1]杜社军[1]闫果[1]刘向宏[1]冯勇[1]张平祥[2]刘生[3], 来源:第十三届全国超导学术研讨会 年份:2015
  "国际热核聚变实验堆(ITER)计划"是目前全球规模最大、影响最深远的国际合作项目之一.ITER装置是一个能产生大规模核聚变反应的超导托克马克,俗称"人造太阳".ITER装置中最...
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