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[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《SolidState Tech.》2008年11/12期报道,比利时IMEC公司在接受日经BP社采访时表示将建设450nm晶圆生产线。这是此前美国英特尔、韩国三星和中国台湾台积电三公司就450nm晶...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《电子材料》(日)2008年第12期报道,日本Fair Child半导体公司研制了业界最薄的P-ch MOSFET器件。该器件具有优异的电性能和散热性能,符合便携式产品的应用需求,采用1×1.5...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《日经微电子》2008年第12期报道,SMIC公司研发了0.11μm的CMOS传感器工艺制造技术。作为布线层的金属可使用铝(Al)和铜(Cu)。该公司已经采用0.11μm工艺技术进行试生产,并...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《日经微器件》2009年第1期报道,中国目前正在大力开拓Si材料量产能力,以解决太阳电池的生产需求。2007年中国的太阳电池生产量已经达到1088MW,成为世界第一的水平,但作为...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《Simeconductor FPD World》2009年第5期报道,STMicro公司研发了一种欧姆阻抗仅为0.079O的Si功率MOSFET。在谋求功率转换系统小型化和低功耗化的背景下,其关键技术是通过...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《Portable Design》2008年第10期报道,美国恩智浦半导体(NXP)公司宣布聘用ATREG(Colliers International的半导体销售部门)出售其位于纽约费西基尔(Fishkill)可以完全投入...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2009年109(109)期报道,日本佐贺大学研究了耿氏二极管高次谐波振荡器的低噪声技术。新开发的振荡器由slot line谐振器、耿氏二极管和微带线构成。通过平面...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《Simeconductor FPD World》2009年第11期报道,由于金刚石材料具有5.5 eV带隙的优异特性,作为低碳器件已引起人们的关注。目前的研究方向主要是单晶片的制作和实现降低功...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2009年109(25)期报道,日本北海道大学量子集成电子研究中心通过电化学工艺来氧化GaN表面,并系统性测评其表面控制性。实验使用的器件是蓝宝石衬底MOCVD生...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《NIKKEI MicroDevices》2009年第9期报道,X参数在高频电路设计中越来越受到设计工程师的关注。三菱电机GaN HEMT放大器研究人员力推该参数的效用。X参数是美国Agilent Tec...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,三菱电机信息技术综合研究所和高频光器件制作所合作制作了X波段GaN HEMTT/R开关。GaN HEMT IC尺寸为1.3 mm×1.7 mm。GaN HEMT的耐...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《NIKKEI MicroDevices》2009年第11期报道,日本太阳诱电公司开发了一种20 GHz的RF MEMS开关器件。该器件第一次搭载了压电驱动器According to “NIKKEI MicroDevices”...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《NIKKEI MicroDevices》2009年第12期报道,日亚化学工业在2009年10月29日召开的“Green Device 2009 Forum”会议上披露,该公司研发了直径5mm的圆锥形封装的白色LED,在注...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据报道,美国滨州大学光电材料中心(EOC)的研究人员已成功制造出可生产纯炭半导体元件的4英寸(100nm)石墨炭(graphene)晶圆片。4英寸石墨烯晶圆可包含约75000个元件以及测试结...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《Simeconductor FPD World》2009年第11期报道,在低碳经济和绿色能源政策的推动下,世界半导体公司纷纷介入宽禁带半导体功率器件的研究。日本从事GaN功率器件的主要研究单...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2009年109(210)期报道,日本NEC电子器件公司采用标准90 nm CMOS工艺成功开发了60 GHz的毫米波相控阵发射机。发射机由相位同步振荡器和6个RF电路(调谐器、...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《NKKEI MicroDevices》2009年第11期报道,日本Elpida存储器公司采用TSV工艺开发了8层叠装的IG DRAM芯片。电极材料由多晶硅改为低阻抗Cu,降低了功耗。该公司已开发出将微...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2009年109(242)期报道,日本青山学院大学理工学部安住壮纪等人采用LTCC工艺设计制作了小型超宽带(UWB)带通滤波器(BPF)。According to “Letters Scienc...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《Portable Design》2010年第6期报道,TriQuint公司日前推出射频前端解决方案支持Qualcomm的3 G芯片。方案包括用于WCDMA的TRITON PAModule和用于GSM/EDGE的HADRON 2 PA Mo...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2008
据《Semiconductor FPD World》2008年第4期报道,SiC材料目前已成为半导体基板的主流材料。据日本矢野经济研究所调查,SiC单晶2006年的市场规模是40亿日元,2007年为50亿日元...
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