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[期刊论文] 作者：胡梦月,梁仁荣,王敬,许军,,
来源：微电子学 年份：2014
随着集成电路特征尺寸进入纳米尺度,摩尔定律的延续受到一定的挑战,纳米技术代的晶体管亟需全新的材料、器件结构和工艺集成技术。在器件结构方面,无结型场效应晶体管由于其...
[期刊论文] 作者：刘立滨,张伟,周伟,王全,许军,梁仁荣,,
来源：半导体技术 年份：2016
随着板上系统技术的发展,在较低温度下制备具有高空穴迁移率的多晶锗硅(Si Ge)薄膜具有重要的研究意义。使用波长为532 nm的绿色脉冲式激光器对多晶Si Ge薄膜进行了退火处理,...
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