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[期刊论文] 作者：王玉林,吴仲华,徐中仓,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
报道了GaAs／InGaAs异质结双杨功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些关键工艺，给出了器件性能。在12GHz下，最大输出功率≥130mW，增益≥12dB，功率附加效率......
[会议论文] 作者：李拂晓;蒋幼泉;高建峰;黄念宁;徐中仓;,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
砷化镓PHEMT功率器件具有工作频率高,输出功率密度大,效率高,功率效益高等特点.本文研制的0.5um栅长GaAs PHEMT小功率晶体管,栅宽1mm,直流跨导250ms/mm,栅漏反向击穿电压大于...
[会议论文] 作者：李拂晓;蒋幼泉;徐中仓;钮利荣;邵凯;杨乃彬;,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
采用砷化镓离子注入技术研制出的DPDT(双刀双掷)单片射频开关,采用塑封技术,成功地通过了高温工作寿命,抗静电(ESD),高压蒸汽(PCT),温度循环,射频功率下的漏电等试验.寿命试...
[期刊论文] 作者：蒋幼泉,陈继义,李拂晓,高建峰,徐中仓,邵凯,陈效建,杨乃彬,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
报道一种用于手机的高功率、低插损砷化镓MMIC射频开关.该产品在870～970 MHz下,线性功率容量＞33 dBm,插入损耗(IL)＜0.6 dB,隔离度(Iso)≥17 dB,反向三阶交调(PT01)≥70 dBm,控制...
[期刊论文] 作者：李拂晓,蒋幼泉,吴振海,徐中仓,钮利荣,周剑明,邵凯,杨乃彬,
来源：半导体学报 年份：2002
采用 Ga As75 mm 0 .7μm离子注入场效应晶体管 (MESFET)标准工艺技术研制出手机用 Ga As双刀双掷(DPDT)单片射频开关 (以下简称单片开关 ) .成品率分析表明 ,影响单片开关直...
[期刊论文] 作者：李拂晓,蒋幼泉,张少芳,高建峰,黄念宁,徐中仓,陈新宇,杨乃彬,,
来源：电子元器件应用 年份：2002
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