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[期刊论文] 作者：陈伟鑫,
来源：实用影音技术 年份：2002
在音频领域里,B类放大器的效率比较高,其他类型的放大器,如A类、AB类效率都低.后来出现的D类放大器,借助超声脉宽调制技术有可能得到高效率,但若设计不周,效果并不佳.D类放大...
[期刊论文] 作者：赵剑青,,
来源：家庭电子 年份：2002
<正> 根据测试和比较,甲类功放工作在三极管线性区,故有类似胆机温暖迷人的音色,受到许多资深音响爱好者的青睐,但现在一些厂家设计的甲类功放功率多在50W 以上。笔者对一些...
[期刊论文] 作者：赵剑青,
来源：家庭电子 年份：2002
<正> 根据测试和比较,甲类功放工作在三极管线性区,故有类似胆机温暖迷人的音色,受到许多资深音响爱好者的青睐,但现在一些厂家设计的甲类功放功率多在50W 以上。笔者对一些...
[会议论文] 作者：刘平,陈庆川,李青,曾旭初,
来源：第二届全国特种电源与元器件年会 年份：2002
以前关于E类软开关逆变器的文献大多用MOSFET(场效应管)作为开关元件.本文研究了用IGBT作为开关元件的E类逆变器.目的是既要获得比MOSFET更高的输出功率,又要使IGBT在保持高效率的前提下能够在更高的频率下工作.实验取得了如下结果:IGBT的开关效率为97﹪,开关频率为200kHz,输出功率为2kW.研究表明,用IGBT作为开关元件的E类逆变器能够获得高频率的大功率正弦波输出....
[期刊论文] 作者：张平,
来源：安阳大学学报 年份：2002
D类音频功率放大器具有高效、节能、数字化、体积小、重量轻的特点,本文通过对D类音频功率放大器的进一步研究和设计调试结果,表明不久将取代模拟音频放大器的必然趋势....
[学位论文] 作者：白咸林,
来源：山东大学 年份：2002
该文设计了一种新型开关功率放大器,主回路采用三电平电路结构,控制系统采用了PID技术和SPWM技术.实践表明这种方案设计合理、控制简单,易于应用和拓展.论文首先对开关功率放...
[期刊论文] 作者：邢中柱,
来源：世界电子元器件 年份：2002
概述广泛应用于汽车、家庭、PC和专业的音响系统,至今依然是A类和AB类线性放大器的天下.其致命缺陷是效率低,几乎有80%的能量转化成热消耗掉了.另一方面,D类功放因使用了脉宽...
[期刊论文] 作者：邢中柱,
来源：世界电子元器件 年份：2002
4.调制器反馈设计调制器将输入级送入的信号转换成高压的输出信号.它的最佳增益取决于调制器允许的最大反馈电平和功率级的供电电压最大值.根据最大供电电压,调节反馈比使性...
[学位论文] 作者：雷张伟,,
来源： 年份：2002
由于D类音频功率放大器与传统的模拟功放相比，具有体积小，效率高，低失真，大功率的特点所以具有广阔的发展前景。 它是本IC设计中心一直进行研究的项目，到现在为止，已经设计并制...
[期刊论文] 作者：,
来源：世界电子元器件 年份：2002
...
[期刊论文] 作者：,
来源：电子制作 年份：2002
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[期刊论文] 作者：张兴柱,
来源：电源世界 年份：2002
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[期刊论文] 作者：周益,,
来源：实用影音技术 年份：2002
就当今市面上流行的功率放大器而言,从电路形式来分,功放可分为甲类功放和甲乙类功放;从用途来分:功放可分为Hi-Fi功放和AV(家庭影院)功放;从结构来分,功放可分为合并式和前...
[期刊论文] 作者：李应生,刘舜民,孔新红,,
来源：电工技术 年份：2002
阐述SPWM电源的研制及用交流开关式电压电流频率可调功放提高电源主要技术指标的方法、措施....
[期刊论文] 作者：徐国鼐,
来源：实用影音技术 年份：2002
美国国家半导体公司生产的LM675T是一种可单独构成功率放大器的大功率运算放大器,其外形与TO-220P封装的三端稳压器相似,当电源电压为25V时可在8Ω负载上输出20W以上的功率....
[期刊论文] 作者：陈堂胜,杨立杰,等,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
研制成GaAs/InGaAs异质结功率FET（HFET），该器件是在常规的高-低-高分布GaAsMESFET的基础上，在有源层的尾部引入i-INGaAs层。采用HEFT研制的两级C波功率放大器，在5.0-5.5Ghz带内，当V...
[期刊论文] 作者：,
来源：音响世界 年份：2002
...
[期刊论文] 作者：,
来源：电子产品世界 年份：2002
...
[期刊论文] 作者：罗俊,
来源：现代电子技术 年份：2002
引入△-∑转化器中处理量化噪声的方法，对一种新的功率放大器结构进行理论分析。这种新结构结合了线性放大器与非线性放大器各自的优点，同时具有高效率和低失真的特性。理论计...
[期刊论文] 作者：陈堂胜,杨立杰,王泉慧,李拂晓,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
研制成 Ga As/ In Ga As异质结功率 FET(HFET) ,该器件是在常规的高 -低 -高分布 Ga As MESFET的基础上 ,在有源层的尾部引入 i-In Ga As层。采用 HFET研制的两级 C波功率放...
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