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[学位论文] 作者：何益百,,
来源：国防科学技术大学 年份：2010
辐射环境中的高能粒子入射半导体材料引发的辐射效应,是航天器电子系统的主要可靠性问题之一。随着集成电路工艺尺寸的缩小和规模的增大,在辐射效应机理研究和抗辐射加固设计...
[学位论文] 作者：何益百,,
来源：国防科学技术大学 年份：2014
随着我国航天科技的飞速发展,空间应用抗辐射集成电路的研究已经成为学术界和工业界的关注重点。纳米工艺下,节点电容的降低和门延迟的减少使SET的产生和传播概率增加,电路工...
[会议论文] 作者：何益百,陈书明,梁斌,刘必慰,
来源：第十四届计算机工程与工艺会议(NCCET'10) 年份：2010
空间辐射效应会导致数字信号处理器芯片(DSP)发生单粒子翻转、单粒子闩锁等现象.文章在分析其失效机理的基础上,阐述了DSP功耗测试及片内存储器测试的实现原理,并完成了单粒...
[期刊论文] 作者：刘蓉容,池雅庆,何益百,窦强,,
来源：计算机工程与科学 年份：2015
使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响。结果表明,纳米工艺下,当存在脉冲窄化效应时,增加阱接触面积会导致SET脉冲变宽,这与传统的通过增加...
[期刊论文] 作者：郭阳,陈建军,何益百,梁斌,刘必慰,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
As technologies scale down in size, multiple-transistors being affected by a single ion has become a universal phenomenon, and some new effects are present in s...
Suppressing the hot carrier injection degradation rate in total ionizing dose effect hardened nMOSFE
[期刊论文] 作者：陈建军,陈书明,梁斌,何益百,池雅庆,邓科峰,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
Annular gate nMOSFETs are frequently used in spaceborne integrated circuits due to their intrinsic good capability of resisting total ionizing dose(TID) effect....
[期刊论文] 作者：陈建军,陈书明,梁斌,刘必慰,池雅庆,秦军瑞,何益百,,
来源：物理学报 年份：2011
由于负偏置温度不稳定性和热载流子注入,p型金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)将在工作中不断退化,而其SiO2/Si界面处界面态的积累是导致其退化的主要原因之一.采用三维...
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