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使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响。结果表明,纳米工艺下,当存在脉冲窄化效应时,增加阱接触面积会导致SET脉冲变宽,这与传统的通过增加阱接触面积可抑制SET脉冲的观点正好相反。同时,还分析了不同入射粒子LET值以及晶体管间距条件对该现象的作用趋势。
阱接触面积对PMOS单粒子瞬态脉冲宽度的影响
【摘 要】
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使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响。结果表明,纳米工艺下,当存在脉冲窄化效应时,增加阱接触面积会导致SET脉冲变宽,这与传统的通过增加
【机 构】
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国防科学技术大学计算机学院,电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室
【出 处】
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计算机工程与科学
【发表日期】
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2015年6期
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