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[期刊论文] 作者：Peng Shao-Quan,杜磊,Zhuang Yi-Qi,
来源：物理学报 年份：2004
基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声的载流子数涨落和迁移率涨落理论,建立了MOSFET辐照前1/f噪声参量与辐照后分别由氧化层陷阱和界面陷阱诱使阈值电压漂移之间...
[期刊论文] 作者：Ma Zhong-Fa,Zhuang Yi-Qi,Du Lei,Wei Shan,
来源：中国物理（英文版） 年份：2005
Based on percolation theory and random telegraph signal (RTS) noise generation mechanism, a numerical model for RTS in deep submicron metal-oxide-semiconductor...
,A two-dimensional analytical subthreshold behavior model for junctionless dual-material cylindrical
[期刊论文] 作者：Li Cong,Zhuang Yi-Qi,Zhang Li,Jin Gang,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
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,Analytical model including the fringing-induced barrier lowering effect for a dual-material surroun
[期刊论文] 作者：Li Cong,Zhuang Yi-Qi,Zhang Li,Bao Jun-Lin,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
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,Quasi-two-dimensional threshold voltage model for junctionless cylindrical surrounding gate metal-o
[期刊论文] 作者：Li Cong,Zhuang Yi-Qi,Zhang Li,Jin Gang,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
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Impact of low/high-κ spacer-source overlap on characteristics of tunnel dielectric based tunnel fiel
[期刊论文] 作者：JIANG Zhi,ZHUANG Yi-qi,LI Cong,WANG Ping,LIU Yu-qi,
来源：中南大学学报（英文版） 年份：2017
The effects of low-κ and high-κ spacer were investigated on the novel tunnel dielectric based tunnel field-effect transistor (TD-FET) mainly based upon ultra-...
[期刊论文] 作者：Ma Zhong-Fa,Zhang Peng,Wu Yong,Li Wei-Hua,Zhuang Yi-Qi,Du Lei,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
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[期刊论文] 作者：Liu Yu-An,Zhuang Yi-Qi,Ma Xiao-Hua,Du Ming,Bao Jun-Lin,Li Cong,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
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[期刊论文] 作者：He Liang,Du Lei,Zhuang Yi-Qi,Chen Hua,Chen Wen-Hao,Li Wei-Hua,Sun Peng,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
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