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[期刊论文] 作者：CAO QuanJun ZHANG YiMen ZHANG,
来源：中国科学：F辑英文版 年份：2008
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[期刊论文] 作者：Zhang Lin,Zhang Yimen,Zhang Yuming,Han Chao,
来源：城市道桥与防洪 年份：2010
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：Jia Renxu,Zhang Yimen,Zhang Yuming,Wang Yuehu,Zhang Lin,
来源：城市道桥与防洪 年份：2009
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：Yongle Lou,Yuming Zhang,Hui Guo,Daqing Xu,Yimen Zhang,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2017
The mechanism of perpendicular magnetic anisotropy(PMA)in a MgO-based magnetic tunnel junction(MTJ)has been studied in this article.By comparing the magnetic pr...
,Characteristic enhancement in tunnel field-effect transistors via introduction of vertical graded s
[期刊论文] 作者：Zhijun Lyu,Hongliang Lu,Yuming Zhang,Yimen Zhang,Bin Lu,Yi Zhu,Fankang Meng,Jiale Sun,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2020
A novel vertical graded source tunnel field-effect transistor (VGS-TFET) is proposed to improve device performance.By introducing a source with linearly graded...
[会议论文] 作者：Xubin Ning,宁旭斌,Hongliang Lv,吕红亮,Yuming Zhang,张玉明,Yimen Zhang,张义门,Qiangsheng Cui,崔强生,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用AFM(原子力显微镜)、CV以及霍尔测试手段,对在GaAs衬底上分子束外延(MBE)制备的两种不同结构的InAs/AlSb材料进行测试,研究了δ掺杂对InAs沟道中电子迁移率与二维电子气的影响。在对InAs/AlSb材料的能带结构分析研究的基础上,可以通过在InAs沟道上下两层的......
[会议论文] 作者：Yinghui Zhong,钟英辉,Yuming Zhang,张玉明,Yimen Zhang,张义门,Hongliang Lu,吕红亮,Jincan Zhang,张金灿,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文基于0.15μm栅长的lnP HEMT器件工艺研制出了一款工作在W波段的低噪声放大器。因为Cascode结构具有输出阻抗大、反向隔离度好、Miller效应小、增益大的优点,本设计采用Cascodc拓扑结构。共面波导和Cascode结构单元布局兼容,并且不需要减薄和背金,本设计选取......
[会议论文] 作者：Yongle Lou,娄永乐,Yuming Zhang,张玉明,Daqing Xu,徐大庆,Hui Guo,郭辉,Yimen Zhang,张义门,Yuchen Li,李妤晨,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用磁控溅射(magnetron sputtering)方法生长了磁隧道结结构，通过优化溅射方法和400℃真空退火改善了磁隧道结中MgO层的结晶质量。借助X射线衍射(XRD)分析发现，利用不同靶材溅射生长Mg0薄膜所得到的结晶质量是不同的。利用MgO靶溅射生成的是常规的晶格常数为0.42......
[会议论文] 作者：Jincan Zhang,Yuming Zhang,Hongliang Lv,Yimen Zhang,Wei Zhou,Min Liu,张金灿,张玉明,吕红亮,张义门,周威,刘敏,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文提出了一种直接提取异质结双极晶体管小信号模型参数的新方法,并且成功地应用到InGaAs/InP异质结双极晶体管的小信号模型参数提取中。该方法采用层层剥离的技巧,运用...
[会议论文] 作者：Jincan Zhang,张金灿,Yuming Zhang,张玉明,Hongliang Lv,吕红亮,Yimen Zhang,张义门,Wei Zhou,周威,Min Liu,刘敏,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文提出了一种直接提取异质结双极晶体管小信号模型参数的新方法,并且成功地应用到InGaAs/InP异质结双极晶体管的小信号模型参数提取中。该方法采用层层剥离的技巧,运用电路网络理论以及S,Y,Z参数之间的关系,分别对HBT小信号模型的寄生参数和本征元件参数进行......
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