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[期刊论文] 作者：Masaki Ogawa,袁明文,,
来源：半导体情报 年份：1974
已研制了GaAs合金型的肖特基势垒接触。用蒸发含有镍(5～20原子％)的鉑膜和GaAs衬底之间的固—固反应来形成合金层。肖特基势垒接触的电性质和冶金性质是:(1)φ_(BO)=0.95±0.01...
[期刊论文] 作者：Masaki Ogawa,Takeharu Seno,Kou,
来源：行为与脑科学期刊(英文) 年份：2015
We examined the effect of sleep deprivation on self-motion perception (vection). We measured the strength of vection, its latency, and its duration in two condi...
[期刊论文] 作者：Masaki Ogawa,赵克俊,,
来源：半导体情报 年份：2004
叙述了亚微米单栅和双栅砷化镓金属—半导体场效应晶体管(GaAsMESFET)的微波性能。也讨论了设计考虑和器件工艺。这些GaAsMESFET 在 x 波段上的低噪声和高增益性能都超过了以...
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